重庆邮电大学高升获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种电流增强式多沟道隔离AlGaN/GaN CAVET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510176769.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种电流增强式多沟道隔离AlGaN/GaN CAVET器件是由高升;吴艳君;罗兴雨;张琳设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电流增强式多沟道隔离AlGaN/GaN CAVET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电流增强式多沟道隔离AlGaNGaNCAVET器件，属于微电子技术领域。该器件包括漏极、衬底、GaN缓冲层、电流阻挡层、电流隔离层，还包括电流阻挡层和电流隔离层上方的交替层叠的势垒层和沟道层，其中，在相邻的势垒层和沟道层之间嵌入有沟道隔离层，用于隔离电流。本发明摒弃了以孔径作为电流通道的设计，采用栅极电压来调控电流阻挡层与栅极侧壁处的空穴浓度，从而实现器件的开启与关闭。在多沟道设计中，通过引入隔离层解决了垂直结构中多沟道间电子气相互耗尽的问题，同时在电流阻挡层内也嵌入隔离层，有效防止了P‑GaN对沟道的耗尽效应，从而极大地提升了器件的输出能力。
本发明授权一种电流增强式多沟道隔离AlGaN/GaN CAVET器件在权利要求书中公布了：1.一种电流增强式多沟道隔离AlGaNGaNCAVET器件，其特征在于，该器件包括： 衬底102； 位于所述衬底102表面的GaN缓冲层103； 位于所述GaN缓冲层103表面的电流阻挡层110； 位于所述GaN缓冲层103表面的电流隔离结构，所述电流隔离结构将所述电流阻挡层110分隔为两部分； 位于所述电流阻挡层和电流隔离结构表面的至少三个层叠的势垒沟道结构； 位于所述势垒沟道结构之间的沟道隔离层； 位于最上层所述势垒沟道结构表面的第一源极106； 垂直于所述势垒沟道结构层叠方向用于连接各所述势垒沟道结构中的沟道层的第二源极116，该第二源极116与所述第一源极106连接； 位于最上层所述势垒沟道结构表面且分布在所述第一源极106两侧的钝化层107； 位于该器件两侧且分别与两部分电流阻挡层110相邻的栅极105；以及 位于所述衬底102远离所述GaN缓冲层103一侧的表面的漏极101。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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