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龙图腾网获悉深圳市卓鸿威科技有限公司申请的专利一种芯片仿真模型的测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120181022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510243846.6，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种芯片仿真模型的测试方法及系统是由熊剑设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片仿真模型的测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片设计技术领域，尤其涉及一种芯片仿真模型的测试方法及系统。该方法包括以下步骤：获取芯片数据，并进行芯片电路逻辑分析，得到电路逻辑数据；基于电路逻辑数据进行信号传输模拟，得到信号传输数据；根据电路逻辑数据以及信号传输数据构建芯片仿真模型；对芯片仿真模型进行粒子轰击，得到粒子数据；基于粒子数据进行能量谱分类，得到质子数据以及重离子数据；根据质子数据对芯片仿真模型进行单粒子翻转故障分析，得到单粒子翻转数据；根据重离子数据对芯片仿真模型进行多粒子翻转故障分析，得到多粒子翻转故障数据。本发明基于芯片设计技术评估和优化芯片在辐射环境下的可靠性，从而提高芯片的辐射抗性。

本发明授权一种芯片仿真模型的测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片仿真模型的测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：获取芯片数据，并进行芯片电路逻辑分析，得到电路逻辑数据；基于电路逻辑数据进行信号传输模拟，得到信号传输数据；根据电路逻辑数据以及信号传输数据构建芯片仿真模型； 步骤S2：对芯片仿真模型进行粒子轰击，得到粒子数据；基于粒子数据进行能量谱分类，得到质子数据以及重离子数据； 步骤S3：根据质子数据对芯片仿真模型进行单粒子翻转故障分析，得到单粒子翻转数据；根据重离子数据对芯片仿真模型进行多粒子翻转故障分析，得到多粒子翻转故障数据，其中，其中，包括： 将重离子数据输入至芯片仿真模型，并执行蒙特卡洛多粒子交互模拟，得到多粒子交互数据； 对多粒子交互数据进行电磁交互分析，得到多粒子电磁交互数据； 根据电磁交互数据进行多粒子电磁轨迹识别，得到多粒子电磁轨迹数据； 对多粒子电磁轨迹数据对芯片仿真模型进行入射位置记录，生成粒子入射位置数据； 根据粒子入射位置数据对芯片仿真模型进行集体翻转分析，得到多粒子翻转故障数据； 步骤S4：根据单粒子翻转数据以及多粒子翻转故障数据进行芯片辐射可靠度评估，得到芯片辐射可靠度；将芯片辐射可靠度上传至芯片仿真模型，并执行辐射硬化测试，生成辐射硬化测试数据。

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