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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种基于离子辐照的超导薄膜及其器件热学性能调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510159807.8，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种基于离子辐照的超导薄膜及其器件热学性能调控方法是由张伟君;洪逸裕;王钰泽;熊佳敏;胡佳豪;尤立星设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离子辐照的超导薄膜及其器件热学性能调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于离子辐照的超导薄膜及其器件的热学性能调控方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，并于衬底上生长超导薄膜；S2、制备微米或纳米级线宽结构的超导器件；S3、采用SRIM软件分别对超导薄膜、超导器件进行离子注入模拟仿真，确定离子类型、入射能量、入射角度和离子注入剂量；S4、根据上步骤确定的数据，采用离子注入设备分别对所述超导薄膜、超导器件进行离子辐照处理；S5、测试经离子辐射处理后的超导薄膜和超导器件的热学性能。本发明无需改变材料化学成分即可精确调控超导薄膜及其器件的热学性能，还可实现后处理优化，使得超导器件的灵敏度、响应速度以及工作稳定性得以精确调控，具有重要的科学意义和应用价值。

本发明授权一种基于离子辐照的超导薄膜及其器件热学性能调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子辐照的热学性能调控方法，其特征在于，所述调控方法用于超导薄膜及其器件，包括以下步骤： S1、提供衬底，并于所述衬底上生长超导薄膜；所述衬底包括分布式布拉格反射镜DBR衬底，所述DBR衬底包括Si衬底和多个堆叠于所述Si衬底上的Ta2O5SiO2层； S2、制备微米或纳米级线宽结构的超导器件； S3、采用SRIM软件分别对所述超导薄膜、所述超导器件进行离子注入模拟仿真，确定离子类型、入射能量、入射角度和离子注入剂量； S4、根据确定的所述离子类型、入射能量、入射角度和离子注入剂量，采用离子注入设备分别对所述超导薄膜、超导器件进行离子辐照处理； S5、测试经离子辐射处理后的所述超导薄膜和所述超导器件的热学性能，用以确定所述离子辐射处理对所述超导薄膜和所述超导器件的调控效果；步骤S5中所述超导薄膜的热学性能包括电子非弹性散射率；所述超导器件的热学性能包括边界热导、双光子热弛豫时间。

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