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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种量产硅片边缘钝化的生产线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239355B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510379201.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种量产硅片边缘钝化的生产线是由黄海宾;刘翠翠设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量产硅片边缘钝化的生产线在说明书摘要公布了：本发明涉及一种量产硅片边缘钝化的生产线，包括：热丝CVD的工艺台组件，对硅片边缘沉积钝化膜层；硅片上料和下料系统，分别将硅片装载至竖直载板上和从竖直载板上回收边缘钝化后的硅片；第一和第二载板回转组件，第一载板回转组件设置在工艺台组件的入口侧并邻近硅片上料系统，两面接收装载硅片的竖直载板，并将其运输至工艺台组件内，第二载板回转组件设置在工艺台组件的出口侧并邻近硅片下料系统，两面接收出来的竖直载板，并将其运输至硅片下料系统；载板输送组件，其在第一与第二载板回转组件之间并且在两者之间循环运输竖直载板。本发明用热丝CVD技术对硅片边缘钝化，实现硅片自动收集放入，实现产能翻倍，实现硅片的多种膜层沉积。

本发明授权一种量产硅片边缘钝化的生产线在权利要求书中公布了：1.一种量产硅片边缘钝化的生产线，其特征在于，包括： 热丝CVD的工艺台组件，所述工艺台组件配置为对硅片边缘沉积钝化膜层，所述工艺台组件包括进料腔、多个工艺腔和出料腔，其中多个工艺腔包括第一工艺腔和第二工艺腔，并且竖直载板上的硅片边缘在真空条件下在所述第一工艺腔内沉积得到a-Si:H膜层，并在真空条件下在所述第二工艺腔内在所述a-Si:H膜层上沉积得到SiNx:H膜层或SiNxOy:H膜层； 硅片上料系统和硅片下料系统，所述硅片上料系统配置为将硅片装载至竖直载板上，所述硅片下料系统配置为从竖直载板上回收边缘钝化后的硅片；所述硅片上料系统和所述硅片下料系统各自独立设置，或者，所述硅片上料系统与所述硅片下料系统共用硅片上下料组件而整体设置； 第一载板回转组件和第二载板回转组件，所述第一载板回转组件设置在所述工艺台组件的入口侧并邻近所述硅片上料系统，所述第一载板回转组件的两面接收装载硅片的竖直载板，并将竖直载板运输至所述工艺台组件内，所述第二载板回转组件设置在所述工艺台组件的出口侧并邻近所述硅片下料系统，所述第二载板回转组件的两面接收从所述工艺台组件出来的竖直载板，并将竖直载板运输至所述硅片下料系统；其中，所述硅片上料系统包括硅片上料封装组件和硅片上料组件，其中所述硅片上料封装组件将硅片放置在钝化工装盒中，所述硅片上料组件将装满硅片的钝化工装盒装载至所述第一载板回转组件的竖直载板上并且将所述第一载板回转组件的竖直载板上的空钝化工装盒放置在所述硅片上料封装组件上； 载板输送组件，所述载板输送组件设置在所述第一载板回转组件与所述第二载板回转组件之间并且配置为在两者之间循环运输竖直载板。

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