达波科技(上海)有限公司薛成龙获国家专利权
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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种晶圆复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510477417.5，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权一种晶圆复合薄膜及其制备方法是由薛成龙;柏文文;王含冠;刘培森;肖博远;周鑫辰;高嘉骏;杨朋辉;杨凯;华千慧;国洪辰;崔健设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆复合薄膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该方法包括步骤：1对压电晶圆进行氢离子或氢氦混合离子注入得到注入晶圆，所述注入晶圆依次包括薄膜层、注入层和余质层；2在支撑衬底上依次形成缺陷层和隔离层；3将隔离层与注入晶圆的薄膜层进行键合得到键合体；4采用激光对注入层进行加热，之后对键合体进行退火热处理实现薄膜的完整剥离，抛光、清洗后得到晶圆复合薄膜，所述激光的波长为100～700nm，功率为50mw～100w，扫描速度为10～50mms。该方法能够有效实现复合薄膜的完整剥离，激光和热退火工艺的结合，具有较高的工艺稳定性，可以大幅提升复合薄膜的良率，缩短复合薄膜加工的时间成本。
本发明授权一种晶圆复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤： 1对压电晶圆进行氢离子或氢氦混合离子注入得到注入晶圆，所述注入晶圆依次包括薄膜层、注入层和余质层； 2在支撑衬底上依次形成缺陷层和隔离层； 3将隔离层与注入晶圆的薄膜层进行键合得到键合体； 4采用激光对注入层进行加热，之后对键合体进行退火热处理去除余质层，再对去除掉余质层的键合体进行抛光、清洗后得到晶圆复合薄膜，所述激光的波长为100～700nm，功率为50mw～1w，扫描速度为10～50mms。
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