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龙图腾网获悉广东技术师范大学申请的专利一种Si-C复合阳极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510672318.2，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种Si-C复合阳极材料的制备方法是由熊良斌;曾帅波;彭静;何梓星;王浚淇;苏泓文;梁倬健;林政;龚经润;陈蔚祺;倪彦烽;黎浩泓;郑碧敏设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si-C复合阳极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及锂离子电池领域，具体是一种Si‑C复合阳极材料的制备方法及应用，制备方法包括：熔融：将多晶硅放于1420°C的高温炉中得到熔融硅；多级喷雾冷凝：采用高压惰性气体将熔融硅进行第一级喷雾冷凝，得到一次冷凝的熔融硅，将一次冷凝的熔融硅使用超声波辅助的冷却介质进行第二级喷雾冷凝，得到精细Si颗粒；粉碎与纳米材料掺杂：将精细Si颗粒进行初步粉碎，在惰性气体环境下掺杂纳米级碳材料，得到球磨后的产品；筛分：将球磨后的产品通过200目标准筛进行筛分，即可得到成品。本发明制备的Si‑C复合阳极材料可广泛应用于锂离子电池，特别是在电动汽车和便携式电子设备等领域，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种Si-C复合阳极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si-C复合阳极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 熔融：将纯度不低于99.99%的多晶硅放于高温炉中，高温炉的炉温逐渐升高至1420°C并在1420°C下保温30分钟，得到熔融硅； 多级喷雾冷凝：采用高压惰性气体将熔融硅进行第一级喷雾冷凝，将熔融硅喷射成细小的液滴，喷射压力控制在1-3MPa，得到一次冷凝的熔融硅，将一次冷凝的熔融硅使用超声波辅助的低温冷却介质进行第二级喷雾冷凝，超声波频率控制在20-40kHz，低温冷却介质温度控制在-50°C至-150°C之间，收集第二级喷雾冷凝后的产物，得到具有非晶或微晶结构的精细Si颗粒； 粉碎与纳米材料掺杂：将精细Si颗粒通过球磨机进行初步粉碎，球磨时间为2-4小时，球磨过程中在惰性气体环境下掺杂纳米级碳材料，得到球磨后的产品，纳米级碳材料为石墨烯或碳纳米管，掺杂量为精细Si颗粒重量的1-1.5%； 筛分：球磨后的产品过200目筛进行筛分，控制粒度孔径小于50μm，即可得到成品。

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