中兴通讯股份有限公司刘锋获国家专利权
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龙图腾网获悉中兴通讯股份有限公司申请的专利移相超表面结构、空口移相器和天线装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510928653.4，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权移相超表面结构、空口移相器和天线装置是由刘锋;张桂宾;郭佳音;孙磊;沈楠;蔡元铭设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本移相超表面结构、空口移相器和天线装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种移相超表面结构、空口移相器和天线装置，可以解决系统复杂、灵活性和调控精度差的问题。移相超表面结构包括相互平行的至少两个振子，且至少部分振子的长度不同；至少一个振子设置有至少一个调谐器件，调谐器件用于调节所在振子的电尺寸。
本发明授权移相超表面结构、空口移相器和天线装置在权利要求书中公布了：1.一种空口移相器，其特征在于，包括至少一个介质板以及设置于每个所述介质板的第一移相超表面结构和第二移相超表面结构，其中，所述第一移相超表面结构和所述第二移相超表面结构均采用相同的移相超表面结构； 所述移相超表面结构包括相互平行的至少两个振子，且至少部分所述振子的长度不同；至少一个所述振子设置有至少一个调谐器件，所述调谐器件用于通过改变自身电学参数来调节所在振子的电尺寸，使得相位调控是连续的； 所述至少两个振子包括第一直线形振子和至少两个第二直线形振子；所述至少两个第二直线形振子对称地分布于所述第一直线形振子沿其宽度方向的两侧； 所述第一移相超表面结构和所述第二移相超表面结构设置于所述介质板相背离的两个表面中的同一表面或不同表面，所述第一移相超表面结构和所述第二移相超表面结构正交设置。
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