中国人民解放军国防科技大学池雅庆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510963210.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品是由池雅庆;姚啸虎;喻国芳;胡佳艺;高宇林;高凤茹;梁斌;陈建军设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品，本发明方法包括下述步骤：利用IO管脚中ESD电路的整流特性通过测量IO管脚电流与结温的关系曲线获取半导体器件在主频下工作处于稳定状态时各个不带上、下拉电阻的IO管脚的结温，并测量半导体器件的盖板温度和器件功耗；根据盖板温度、器件功耗以及半导体器件在主频下工作处于稳定状态时各个IO管脚的结温计算半导体器件在主频下的热阻。本发明旨在实现一种无需复杂的测试设备，适用于多种半导体器件，可快速、准确地计算半导体器件热阻的半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品。
本发明授权一种半导体器件热阻测量方法、系统、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件热阻测量方法，其特征在于，包括下述步骤： S1，利用IO管脚中ESD电路的整流特性通过测量IO管脚电流与结温的关系曲线获取半导体器件在主频下工作处于稳定状态时各个不带上、下拉电阻的IO管脚的结温，并测量半导体器件的盖板温度和器件功耗；其中IO管脚电流是指IO管脚对应的ESD电路中二极管的电流； S2，根据盖板温度、器件功耗以及半导体器件在主频下工作处于稳定状态时各个IO管脚的结温计算半导体器件在主频下的热阻。
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