晶科能源(海宁)有限公司熊启武获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511046833.6，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件是由熊启武;孙玉峰;端伟元;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件，背接触电池包括：基底，基底具有沿第一方向相对的第一表面侧和第二表面侧，在第二表面侧包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区；隧穿层，至少位于第一区上；第一掺杂半导体层，位于隧穿层远离基底的一侧；第一透明导电层，位于第一掺杂半导体层远离基底的一侧，第一透明导电层远离基底的表面具有多个陷光颗粒；非晶硅层，至少位于第二区上；第二掺杂半导体层，位于非晶硅层远离基底的一侧；第二透明导电层，位于第二掺杂半导体层远离基底的一侧，第一透明导电层和第一透明导电层之间具有间隔，至少有利于提升背接触电池的陷光效果和载流子收集效率。
本发明授权背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有沿第一方向相对的第一表面侧和第二表面侧，在所述第二表面侧包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区； 隧穿层，至少位于所述第一区上； 第一掺杂半导体层，位于所述隧穿层远离所述基底的一侧； 第一透明导电层，位于所述第一掺杂半导体层远离所述基底的一侧，所述第一透明导电层远离所述基底的表面具有多个陷光颗粒； 非晶硅层，至少位于所述第二区上； 第二掺杂半导体层，位于所述非晶硅层远离所述基底的一侧； 第二透明导电层，位于所述第二掺杂半导体层远离所述基底的一侧，且所述第二透明导电层和所述第一透明导电层之间具有间隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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