晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司李文超获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利刻蚀腔室及倒角刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511082627.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权刻蚀腔室及倒角刻蚀方法是由李文超;刘然;林政纬;罗成;俞洁设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本刻蚀腔室及倒角刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种刻蚀腔室及倒角刻蚀方法，刻蚀腔室用于对晶圆的边缘区域进行倒角刻蚀；刻蚀腔室包括：上射频电极，用于在刻蚀腔室内产生等离子体；上等离子体禁区环，上等离子体禁区环设置于晶圆与上射频电极之间，且上等离子体禁区环远离晶圆中心的侧壁在晶圆表面的投影位于边缘区域内；其中，边缘区域包括靠近晶圆中心的第一子区域和远离晶圆中心的第二子区域；部分产生的等离子体能被侧壁反射至第二子区域，以使作用于第一子区域的等离子体浓度低于作用于第二子区域的等离子体浓度；等离子体反射组件，用于将至少部分产生的等离子体反射至第一子区域，以提升作用于第一子区域的等离子体浓度。如此，能够提升晶圆边缘区域倒角刻蚀的均匀性。
本发明授权刻蚀腔室及倒角刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀腔室，其特征在于，所述刻蚀腔室用于对晶圆的边缘区域进行倒角刻蚀；所述刻蚀腔室包括： 上射频电极，用于在所述刻蚀腔室内产生等离子体； 上等离子体禁区环，所述上等离子体禁区环设置于晶圆与所述上射频电极之间，且所述上等离子体禁区环远离晶圆中心的侧壁在晶圆表面的投影位于所述边缘区域内；其中，所述边缘区域包括靠近晶圆中心的第一子区域和远离晶圆中心的第二子区域；部分产生的等离子体能被所述侧壁反射至所述第二子区域，以使作用于所述第一子区域的等离子体浓度低于作用于所述第二子区域的等离子体浓度； 设置于背离晶圆表面一侧的下等离子体禁区环和下射频电极； 等离子体反射组件，用于将至少部分产生的等离子体反射至所述第一子区域，以提升作用于所述第一子区域的等离子体浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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