上海中科飞测半导体科技有限公司陈鲁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中科飞测半导体科技有限公司申请的专利一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511087960.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法是由陈鲁;张鹏斌;黄剑;陈贵龙设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法，该测量系统包括由出射光束波长不同的第一光源和第二光源、成像组件和处理组件，通过控制第一光源出射第一光束穿透倒装芯片并在深层照射第一标靶，并从第一探测器获取包含第一标靶的第一图像；控制第二光源出射第二光束在倒装芯片的表面照射第二标靶，并从第二探测器获取包含第二标靶的第二图像，最后由处理组件基于第一图像和第二图像获取倒装芯片相对基板的第一偏移量和第二偏移量，并根据第一偏移量和第二偏移量得到倒装芯片的贴合偏移量。本申请通过采用双波长光源分时分波段协同照射倒装芯片，突破了单波长检测的穿透性‑反射率矛盾，提升了贴合偏移量检测的准确性和可靠性。
本发明授权一种倒装芯片的偏移测量系统和测量方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装芯片的偏移测量系统，其特征在于，所述倒装芯片被用于贴合在基板上且所述倒装芯片的内部、表面分别设有第一标靶和第二标靶，所述偏移测量系统包括： 光源组件，包括第一光源和第二光源；所述第一光源用于出射第一光束穿透所述倒装芯片并在深层照射所述第一标靶，所述第二光源用于出射第二光束在所述倒装芯片的表面照射所述第二标靶；其中，所述第一光源和第二光源出射的第一光束和第二光束的波长不同； 成像组件，用于采集所述第一光束经所述第一标靶反射形成的第一图像，和所述第二光束经所述第二标靶反射形成的第二图像； 处理组件，用于基于所述第一图像获取所述倒装芯片相对所述基板的第一偏移量，基于所述第二图像获取所述倒装芯片相对所述基板的第二偏移量，以及根据所述第一偏移量和所述第二偏移量得到所述倒装芯片的贴合偏移量。
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