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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120668286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511187203.0，技术领域涉及：G01L1/20；该发明授权一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法是由马炳和;张元英;罗剑;张兴旭;刘封昀;邓进军设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及压力传感器技术领域，具体涉及一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法，耐高温压阻式压力传感器芯片包括：器件层、埋氧层、支撑层以及密封基底层，支撑层上依次设置有埋氧层、器件层；其中，器件层包括：压阻器和导线，压阻器和导线设置于埋氧层上，导线上设置有金属焊盘；压阻器和导线采用掺杂浓度大于1014cm‑3的P型硅材料或者N型硅材料；其中，密封基底层和器件层连接且两者之间形成参考压力腔，或者密封基底层和支撑层背离器件层的一侧连接且两者之间形成参考压力腔。本发明提高了耐高温压阻式压力传感器芯片的加工效率，同时提高了芯片在高温环境下的电学稳定性。

本发明授权一种耐高温压阻式压力传感器芯片及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温压阻式压力传感器芯片的加工方法，其特征在于，包括： 采用单一元素惨杂的原位掺杂的方式形成设定掺杂浓度的P型硅晶圆或者N型硅晶圆；设定掺杂浓度为大于1014cm-3；并将N型硅晶圆或者P型硅晶圆作为器件层对应的晶圆；采用硅和氧化硅制作支撑层对应的晶圆；对支撑层对应的晶圆进行干法氧化在支撑层的晶圆上形成埋氧层对应的晶圆；将埋氧层对应的晶圆背离支撑层的一侧与器件层对应的晶圆键合得到SOI晶圆；在SOI晶圆中的器件层对应的晶圆的表面加工压阻器和导线；在SOI晶圆中的支撑层对应的晶圆背离导线的表面加工环形凹腔形成凸台；在器件层的导线上溅射连接金属形成金属焊盘；在密封基底层的玻璃基底上加工凹腔，并将玻璃基底的凹腔所在面和SOI晶圆的环形凹腔所在面进行键合形成压力传感器芯片； 或者在SOI晶圆中的支撑层对应的晶圆背离导线的表面加工环形凹腔形成凸台之后，在密封基底层的玻璃基底上加工凹腔，将玻璃基底的凹腔所在面和SOI晶圆的压阻器所在面进行键合，并在玻璃基底设置连通导线的通孔；在通孔内壁以及导线上溅射连接金属形成金属焊盘，得到压力传感器芯片； 其中，压力传感器芯片包括支撑层，支撑层上依次设置有埋氧层、器件层以及密封基底层；器件层包括：压阻器和导线，导线上设置有金属焊盘；压阻器和导线采用单一元素惨杂，且掺杂浓度大于1014cm-3的P型硅材料或者N型硅材料；密封基底层和器件层连接且两者之间形成参考压力腔，或者密封基底层和支撑层背离器件层的一侧连接且两者之间形成参考压力腔。

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