中国科学院空天信息创新研究院吕诗雅获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利基于MEMS技术的宏微结合电极及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120694651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511163966.1,技术领域涉及:A61B5/294;该发明授权基于MEMS技术的宏微结合电极及其制备方法是由吕诗雅;蔡新霞;吴一戎;宋轶琳;王明川;王禹;张苏一;景露易设计研发完成,并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于MEMS技术的宏微结合电极及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种基于MEMS技术的宏微结合电极及其制备方法。基于MEMS技术的宏微结合电极包括:脑深部刺激DBS宏电极,包括非金属支撑套管和至少一个金属刺激触点,金属刺激触点间隔排列在非金属支撑套管的第一端部的表面,第一端部为深入脑深部的一端;基于MEMS技术的柔性微纳电极阵列,包括并行排布的多个检测单元,每一个检测单元包括检测位点和导线,检测位点均贴附在第一端部的表面,每一个检测位点用于检测脑深部的一种电信号,每一个导线连接相应的检测位点,每一个导线以贴附在非金属支撑套管的表面或穿行在非金属支撑套管的内部的方式沿着非金属支撑套管远离第一端部的方向延伸。
本发明授权基于MEMS技术的宏微结合电极及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于MEMS技术的宏微结合电极,其特征在于,包括: 脑深部刺激宏电极,包括非金属支撑套管和至少一个金属刺激触点,所述金属刺激触点间隔排列在所述非金属支撑套管的第一端部的表面,所述第一端部为深入脑深部的一端,所述金属刺激触点用于在所述脑深部刺激宏电极植入脑深部时,提供不同位置的神经电刺激; 基于MEMS技术的柔性微纳电极阵列,包括并行排布的多个检测单元,每一个所述检测单元包括检测位点和导线,所述检测位点均贴附在所述第一端部的表面,每一个所述检测位点用于在所述金属刺激触点产生所述神经电刺激后,检测所述脑深部相应刺激位点的一种电信号,多个所述检测位点检测的所述电信号包括电生理信号、多巴胺电化学信号或谷氨酸电化学信号的一种或多种,每一个所述导线连接相应的所述检测位点,每一个所述导线以贴附在所述非金属支撑套管的表面或穿行在所述非金属支撑套管的内部的方式沿着所述非金属支撑套管远离所述第一端部的方向延伸,所述非金属支撑套管包括中间部,所述中间部的两端分别形成有第一狭缝和第二狭缝,所述第一狭缝位于所述中间部和所述第一端部之间,每一个所述导线从所述第一狭缝中穿入到所述非金属支撑套管的内部,并从所述第二狭缝中穿出到所述非金属支撑套管的外部,所述第一端部上形成有至少一个第三狭缝,每一个所述第三狭缝位于所述第一狭缝远离所述第二狭缝的一侧且位于不同的所述金属刺激触点的边缘,每一个所述导线至所连接的所述检测位点开始,从所述第三狭缝中穿入或穿出后,再从所述第一狭缝中穿入到所述非金属支撑套管的内部。
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