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龙图腾网获悉江苏丽隽功率半导体有限公司申请的专利SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120744387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511163557.1，技术领域涉及：G06F18/20；该发明授权SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统是由范捷;许剑设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了SiCMOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统，涉及半导体器件缺陷检测与表征技术领域，方法包括：对SiCMOSFET器件进行缺陷事故追溯，构建多层缺陷追溯网络；对器件进行多模态实测，获得实测特征数据；据此进行器件层、芯片层、晶格层缺陷识别，获得缺陷识别第一、第二、第三结果；对这些结果进行缺陷特征追溯校正，获得多层次缺陷图谱。本发明解决了传统检测手段无法全面精准识别半导体器件SiCMOSFET各层缺陷，导致数据不全面、不精确，难以满足对其缺陷精准评估和可靠管控的技术问题，达到了对SiCMOSFET各层缺陷的全面精准识别，数据全面准确，满足其缺陷精准评估和可靠管控需求的技术效果。

本发明授权SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统在权利要求书中公布了：1.SiCMOSFET器件内部构造缺陷识别方法，其特征在于，所述方法包括： 对SiCMOSFET器件进行多物理场耦合仿真缺陷事故追溯，构建多层缺陷追溯网络； 对所述SiCMOSFET器件进行多模态实测，获得实测特征数据； 根据所述实测特征数据进行器件层缺陷识别，获得缺陷识别第一结果； 根据所述实测特征数据进行芯片层缺陷识别，获得缺陷识别第二结果； 根据所述实测特征数据进行晶格层缺陷识别，获得缺陷识别第三结果； 根据所述多层缺陷追溯网络对所述缺陷识别第一结果、所述缺陷识别第二结果和所述缺陷识别第三结果进行缺陷特征追溯校正，获得多层次缺陷图谱； 对SiCMOSFET器件进行多物理场耦合仿真缺陷事故追溯，构建多层缺陷追溯网络，包括： 根据所述SiCMOSFET器件进行三维重建，获得晶体管模型； 根据所述SiCMOSFET器件进行多物理场耦合寻优，获得耦合场空间； 根据所述耦合场空间对所述晶体管模型进行器件层缺陷事故追溯，构建器件层缺陷追溯网络； 根据所述耦合场空间对所述晶体管模型进行芯片层缺陷事故追溯，构建芯片层缺陷追溯网络； 根据所述耦合场空间对所述晶体管模型进行晶格层缺陷事故追溯，构建晶格层缺陷追溯网络； 根据所述器件层缺陷追溯网络、所述芯片层缺陷追溯网络和所述晶格层缺陷追溯网络，生成所述多层缺陷追溯网络； 对所述SiCMOSFET器件进行多模态实测，获得实测特征数据，包括： 获得多模态检测因子，所述多模态检测因子包括电学模态、热学模态、光学模态、结构模态和声学模态； 根据所述多模态检测因子对所述SiCMOSFET器件进行检测，获得晶体管检测数据集； 对所述晶体管检测数据集进行数据清洗，生成所述实测特征数据。

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