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龙图腾网获悉成都中航华测科技有限公司申请的专利一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120748470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511187427.1，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置是由虞从军;李明聪;李志江设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置，涉及半导体测试技术领域。包括信息获取：获取闪存芯片的存储类型和测试环境需求得到测试需求。本发明通过建立实时更新的数据库确保测试数据的多样性和不重复性，结合闪存芯片的存储类型和工作环境动态设定测试数据类型权重及环境参数，体现测试为可动态调节，实现精准的耐久性测试，在测试过程中，通过交叉验证实时监控芯片状态并辅助定位故障点，同时收集状态与耐久性的关联数据，构建预测模型，以显著提升测试效率与准确性，通过模型预测可提前评估芯片寿命，优化产品设计；辅助故障定位功能加速缺陷分析，降低研发成本为闪存芯片的可靠性验证和性能改进提供系统性支持。

本发明授权一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于闪存芯片的耐久性测试方法，所述方法包括： 信息获取：获取闪存芯片的存储类型和测试环境需求得到测试需求，测试需求包括类型需求和环境需求； 其特征在于，包括： 数据库建立：通过设置的数据库建立方法建立实时更新的测试数据存储库得到数据库； 环境设定与确定：通过环境处理方法根据闪存芯片的工作场景设定测试的环境得到目标环境参数； 类型设定与确定：通过数据处理方法根据闪存芯片的存储类型设定测试数据权重配合类型需求得到权重信息； 测试进行：基于目标环境参数配合权重信息和数据库进行闪存芯片的耐久性测试得到耐久性结果； 交叉验证：在闪存芯片的耐久性测试过程中，通过设置的交叉验证方法验证闪存芯片的工作状态得到验证结果，通过设置的信息获取方法获取闪存芯片实时状态与耐久性的关系得到反映信息； 耐久性预测：基于反映信息通过模型建立方法建立用于预测耐久性的预测目录，获取闪存芯片的待预测运行状态，基于闪存芯片在预测目录中提取耐久性预测模型，基于待预测运行状态通过耐久性预测模型得到耐久性预测结果。

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