泉州师范学院潘淼获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利一种p型氧化镓薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511248972.7，技术领域涉及：H01L21/383；该发明授权一种p型氧化镓薄膜的制备方法是由潘淼;张海忠;陈文杰;周伯萌;吴恬盈;吴丽双;黄志高;苏建志;王锋设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p型氧化镓薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体领域，本发明公开了一种p型氧化镓薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上生长预处理层；S2、将生长预处理层后的衬底置于保护气体氛围中，加热升温至处理温度；S3、在氮等离子体氛围中，用一维线条状激光对衬底进行辐照；S4、在保护气体氛围中进行退火处理。本发明通过氮等离子体和激光实现了氧化镓薄膜的氮‑金属共掺杂，从而实现制备高质量的p型氧化镓薄膜；本发明制备工艺简单，生产成本低，有助于氧化镓器件的推广和应用。
本发明授权一种p型氧化镓薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p型氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上生长预处理层；所述预处理层为由氧化镓薄膜和M薄膜交替循环设置的多层薄膜结构，其中M薄膜为锌薄膜、铜薄膜、镁薄膜、氧化锌薄膜、氧化铜薄膜、氧化镁薄膜中的一种；或者所述预处理层为金属掺杂的氧化镓单层薄膜，其中金属为铜、锌、镁中的一种； S2、将生长预处理层后的衬底置于保护气体氛围中，加热升温至处理温度； S3、在氮等离子体氛围中，用一维线条状激光对衬底进行辐照； S4、在保护气体氛围中，对激光辐照处理完的衬底进行退火处理。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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