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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511158070.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种封装结构是由胡金金;曹凯设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构。封装结构包括：塑封层包覆待封装晶圆；第一电镀金属层包括相互连接的外接引脚和第一连接部；外接引脚设置于所述塑封层外；塑封层设置有外接引脚的一侧设置有第一通孔，第一连接部设置于第一通孔内；第一连接部与待封装晶圆直接接触电连接；或者，第一电镀金属与待封装晶圆之间还设置有至少一层第二电镀金属层，第一电镀金属层通过至少一层第二电镀金属层与待封装晶圆电连接，第一连接部与最邻近第一电镀金属层的第二电镀金属层直接接触电连接，最邻近待封装晶圆的第二电镀金属层与待封装晶圆直接接触电连接。本发明实施例可以提高生产效率，提高封装结构的结构稳定性。

本发明授权一种封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 塑封层、待封装晶圆以及设置于待封装晶圆一侧的第一电镀金属层； 所述塑封层包覆所述待封装晶圆；所述第一电镀金属层包括相互连接的外接引脚和第一连接部；所述外接引脚设置于所述塑封层外； 所述塑封层设置有所述外接引脚的一侧设置有第一通孔，所述第一连接部设置于所述第一通孔内； 所述第一连接部与所述待封装晶圆直接接触电连接；或者，所述第一电镀金属与所述待封装晶圆之间还设置有至少一层第二电镀金属层，所述塑封层包覆所述至少一层第二电镀金属层，所述第一电镀金属层通过所述至少一层第二电镀金属层与所述待封装晶圆电连接，所述第一连接部与最邻近所述第一电镀金属层的所述第二电镀金属层直接接触电连接，最邻近所述待封装晶圆的所述第二电镀金属层与所述待封装晶圆直接接触电连接； 所述塑封层设置有所述外接引脚的第一表面的预设边缘区设置有沟槽，所述预设边缘区与所述外接引脚相邻，所述沟槽贯穿所述塑封层的第二表面；其中，所述塑封层的第二表面环绕所述塑封层的第一表面，且与所述第一表面相连；所述沟槽用于设置导电材料，使外接引脚通过导电材料与外部电路连接。

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