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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利一种异质结电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511211719.4，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种异质结电池及其制备方法是由于波;苏政;马红娜;李倩;赵学玲;翟金叶;周渊博;于航;李洋;史金超;张东升;麻超;刘莹设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于异质结电池领域，具体公开一种异质结电池及其制备方法，通过栅线电极对应区域沉积重掺杂非晶硅，降低高寄生吸收、表面悬挂键和界面态密度，提高开压和异质结电池效率。本发明主要技术方案为：一种异质结电池，N型硅衬底正面和背面栅线电极对应区域设凹槽；设本征非晶硅层；轻掺杂P型非晶硅层设于正面本征非晶硅层上，轻掺杂N型非晶硅层设于背面本征非晶硅层上，重掺杂P型非晶硅层设于轻掺杂P型非晶硅层上凹槽对应区域，重掺杂N型非晶硅层设于轻掺杂N型非晶硅层上凹槽对应区域，P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上分别设透明导电氧化物层，栅线电极设于透明导电氧化物层上。本发明主要用于发电。

本发明授权一种异质结电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结电池，其特征在于，包括： N型硅衬底，所述N型硅衬底包括正面和背面，所述N型硅衬底的正面和背面的栅线电极对应区域分别设有凹槽； 本征非晶硅层，所述N型硅衬底的正面和背面分别设置有所述本征非晶硅层； P型掺杂非晶硅层，所述P型掺杂非晶硅层包括轻掺杂P型非晶硅层，所述轻掺杂P型非晶硅层设置于正面的所述本征非晶硅层上； N型掺杂非晶硅层，所述N型掺杂非晶硅层包括轻掺杂N型非晶硅层，所述轻掺杂N型非晶硅层设置于背面的所述本征非晶硅层上； 所述P型掺杂非晶硅层还包括重掺杂P型非晶硅层，所述重掺杂P型非晶硅层设置于所述轻掺杂P型非晶硅层上，且位于所述凹槽对应区域； 所述N型掺杂非晶硅层还包括重掺杂N型非晶硅层，所述重掺杂N型非晶硅层设置于所述轻掺杂N型非晶硅层上，且位于所述凹槽对应区域； 透明导电氧化物层，所述P型掺杂非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅层上分别设置有所述透明导电氧化物层； 栅线电极，所述栅线电极分别设置于正面和背面的所述透明导电氧化物层上； 所述轻掺杂P型非晶硅层的厚度与所述重掺杂P型非晶硅层的厚度相同，且所述P型掺杂非晶硅层的表面为平面； 所述轻掺杂N型非晶硅层的厚度与所述重掺杂N型非晶硅层的厚度相同，且所述N型掺杂非晶硅层的表面为平面。

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