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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511190032.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法是由陈鑫;徐沛然;黄田田;吴郅轩;杨万丽;李庆孜;邓惠勇;戴宁设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的技术领域，尤其是涉及一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法，其包括：锗基底；设置在锗基底表面的电极注入区、多个阻挡区、多个第一单色吸收区和多个第二单色吸收区；设置在电极注入区上的公共电极、多个第一吸收区电极和多个第二吸收区电极；设置在多个阻挡区、多个第一单色吸收区和多个第二单色吸收区上的钝化层；多个第一单色吸收区和多个阻挡区位于公共电极与多个第一吸收区电极之间，并呈周期性分布；多个第二单色吸收区和多个阻挡区位于公共电极与多个第二吸收区电极之间，并呈周期性分布。本发明能够协助提升探测率并实现双色探测。

本发明授权一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗基多结型双色长波红外探测器，其特征在于：包括锗基底1； 设置在所述锗基底1表面的电极注入区2、多个阻挡区3、多个第一单色吸收区4和多个第二单色吸收区5； 所述电极注入区2、所述阻挡区3、所述第一单色吸收区4和所述第二单色吸收区5均位于锗基底1的近表面内； 设置在所述电极注入区2上的公共电极6、多个第一吸收区电极8和多个第二吸收区电极9； 所述公共电极6、所述第一吸收区电极8和第二吸收区电极9分别位于不同的电极注入区上； 设置在多个所述阻挡区3、多个所述第一单色吸收区4和多个所述第二单色吸收区5上的钝化层7； 多个所述第一单色吸收区4和部分多个所述阻挡区3位于所述公共电极6与多个所述第一吸收区电极8之间，并呈周期性分布； 多个所述第二单色吸收区5和剩余部分多个所述阻挡区3位于所述公共电极6与多个所述第二吸收区电极9之间，并呈周期性分布；所述第一单色吸收区4和所述第二单色吸收区5均为简并掺杂的锗材料，所述第一单色吸收区4与所述第二单色吸收区5的掺杂杂质种类不同。

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