合肥晶合集成电路股份有限公司康绍磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511221829.9，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器是由康绍磊;章曦设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的传输栅极；形成于基底内的浮动扩散区和过渡掺杂区；其中，过渡掺杂区位于传输栅极在基底的投影与浮动扩散区之间；过渡掺杂区的掺杂浓度小于浮动扩散区的掺杂浓度；过渡掺杂区包括基于离子注入工艺形成的第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区的掺杂类型与浮动扩散区的掺杂类型不同；第二掺杂区的掺杂类型与浮动扩散区的掺杂类型相同；沿基底的法线方向，第二掺杂区的离子注入深度大于第一掺杂区的离子注入深度。通过本申请实施例，减少了栅诱导漏极漏电的发生，提升了CMOS图像传感器的成像质量。
本发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 形成于所述基底表面的传输栅极； 形成于所述基底内的浮动扩散区和过渡掺杂区；其中，所述过渡掺杂区位于所述传输栅极在所述基底的投影与所述浮动扩散区之间；所述过渡掺杂区的掺杂浓度小于所述浮动扩散区的掺杂浓度；所述过渡掺杂区包括基于离子注入工艺形成的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区的掺杂类型与所述浮动扩散区的掺杂类型不同；所述第二掺杂区的掺杂类型与所述浮动扩散区的掺杂类型相同；沿所述基底的法线方向，所述第二掺杂区的离子注入深度大于所述第一掺杂区的离子注入深度。
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