中国科学院半导体研究所魏学成获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511196667.8，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法是由魏学成;闫丹;孙雪娇;王军喜设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法，可应用于半导体光电子器件技术领域。该铝镓氮基深紫外发光二极管的结构包括一次设置的蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、p型铝镓氮层、p型氮化镓接触层以及金属电极，其中p型铝镓氮层与p型氮化镓接触层中设置有台壁微纳反射结构，台壁微纳反射结构包括多个阵列分布的台壁微纳反射单元，台壁微纳反射结构通过混沌‑Jaya算法优化获得，用于提升深紫外发光二极管的光提取效率。
本发明授权铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铝镓氮基深紫外发光二极管，其特征在于，包括： 蓝宝石衬底； 氮化铝缓冲层，位于所述蓝宝石衬底的表面； n型铝镓氮层，位于所述氮化铝缓冲层远离所述蓝宝石衬底的一侧； 多量子阱层，位于所述n型铝镓氮层远离所述蓝宝石衬底的一侧； 电子阻挡层，位于所述多量子阱层远离所述蓝宝石衬底的一侧； p型铝镓氮层，位于所述电子阻挡层远离所述蓝宝石衬底的一侧； p型氮化镓接触层，位于所述p型铝镓氮层远离所述蓝宝石衬底的一侧； 金属电极，位于所述p型氮化镓接触层远离所述蓝宝石衬底的一侧；以及 台壁微纳反射结构，设置于所述p型铝镓氮层与所述p型氮化镓接触层中，所述台壁微纳反射结构包括多个阵列分布的台壁微纳反射单元，所述台壁微纳反射单元为圆柱和圆台组成的复合结构，以及相邻台壁微纳反射单元之间沉积有金属铝层作为反射材料；所述台壁微纳反射结构通过混沌-Jaya算法优化所述台壁微纳反射单元的参数，用于提升所述深紫外发光二极管的光提取效率；所述台壁微纳反射单元的参数包括周期p、高度h、结构顶部直径d1以及结构底部直径d2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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