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龙图腾网获悉香港科技大学(广州);大连理工大学申请的专利一种抑制低频振荡的试验水池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120760997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511285478.8，技术领域涉及：G01M10/00；该发明授权一种抑制低频振荡的试验水池是由苏权科;周卓炜;王冠男;高文博;杨洪齐;张宁川;柳淑学;李木国设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制低频振荡的试验水池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种抑制低频振荡的试验水池，包括：水池主体、造波机和消波滩；造波机设置于水池主体，用于在水池主体内制造波浪；水池主体包括浅滩区；消波滩放置于浅滩区，且正对造波机；消波滩为具有孔隙的非实心结构；消波滩背对造波机的一侧设置有实心背板；实心背板覆盖消波滩的侧面；水池主体的底部设置有升降板；消波滩能够沿靠近或远离造波机的方向改变放置位置，以改变造波机到消波滩的距离；升降板能够升降，以改变水池主体的深度。本方案中，消波滩背侧的实心背板能够起到阻挡波浪的作用，因此通过移动消波滩的位置能够对水池主体的长度进行调节，进而调节水池主体的固有振荡周期，降低水池的固有振荡周期对试验的干扰。

本发明授权一种抑制低频振荡的试验水池在权利要求书中公布了：1.一种抑制低频振荡的试验水池，其特征在于，包括：水池主体10、造波机20、消波滩30与阻尼件40； 所述造波机20设置于所述水池主体10，用于在所述水池主体10内制造波浪； 所述水池主体10包括浅滩区11； 所述消波滩30放置于所述浅滩区11，且正对所述造波机20； 所述消波滩30背对所述造波机20的一侧设置有实心背板31； 所述实心背板31覆盖所述消波滩30的侧面与顶面； 所述水池主体10的底部设置有升降板13； 所述消波滩30能够沿靠近或远离所述造波机20的方向改变放置位置，以改变所述造波机20到所述消波滩30的距离； 所述升降板13能够升降，以改变所述水池主体10的深度； 所述阻尼件40放置于所述浅滩区11，且位于所述消波滩30和所述造波机20之间； 所述阻尼件40的高度小于所述浅滩区11的水深度； 所述阻尼件40包括多个，多个所述阻尼件40能够排布成并排状态、淹没状态或出露状态； 所述并排状态下，多个所述阻尼件40沿所述消波滩30的宽度方向并排铺设； 所述淹没状态下，多个所述阻尼件40沿竖直方向堆叠，且多个所述阻尼件40的堆叠高度小于所述浅滩区11的水深度； 所述出露状态下，多个所述阻尼件40沿竖直方向堆叠，且多个所述阻尼件40的堆叠高度大于所述浅滩区11的水深度； 所述阻尼件40的内部为中空消能网结构。

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