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龙图腾网获悉安徽中科光栅科技有限公司申请的专利一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120779513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511253421.X，技术领域涉及：G02B6/00；该发明授权一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法是由刘斌;陈智文;王宇;杨高元;陈火耀设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及波导光栅，具体涉及一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法，对所使用的离子束在工作平面内的离子束流密度分布进行精确测量和标定；建立一个关联目标槽深曲线、离子束流密度分布和扫描速度的协同控制模型，将刻蚀深度与离子束总剂量关联，通过动态调控基底相对于离子束的扫描速度，来精确控制波导光栅上每一点接收到的离子束总剂量，实现对槽深分布的精准控制；基于协同控制模型，结合设定的目标槽深曲线和标定的离子束流密度分布，求解目标槽深曲线对应的扫描速度；基于求解的扫描速度进行离子束刻蚀，最终在波导光栅上形成与目标槽深曲线精确对应的连续渐变槽深；本发明能够有效克服难以制作高精度连续渐变槽深的波导光栅的缺陷。

本发明授权一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法在权利要求书中公布了：1.一种连续渐变槽深的波导光栅制作方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、设定目标槽深曲线； S2、对所使用的离子束在工作平面内的离子束流密度分布进行精确测量和标定； S3、建立一个关联目标槽深曲线、离子束流密度分布和扫描速度的协同控制模型，将刻蚀深度与离子束总剂量关联，通过动态调控基底相对于离子束的扫描速度，来精确控制波导光栅上每一点接收到的离子束总剂量，实现对槽深分布的精准控制，包括： 对于目标槽深曲线dx与离子束流密度分布Jx',y'，波导光栅上任意一点的刻蚀深度d正比于该点接收到的离子束总剂量dose： ； 其中，dosex为在波导光栅长度x处接收到的离子束总剂量，Rm为单位离子束剂量下的刻蚀深度，通过实验测定； 对于离子束流密度分布Jx',y'与扫描速度vx，当工作台以扫描速度vx带动波导光栅沿其长度方向扫描时，波导光栅上任意一点接收到的离子束总剂量为离子束扫过该点时，离子束流密度在时间上的积分，这个积分与扫描速度vx呈反比，当工作台以扫描速度vx带动波导光栅沿其长度方向扫描时，波导光栅上任意一点经历的离子束轰击时间与1vx相关； 综合考虑目标槽深曲线dx与离子束流密度分布Jx',y'、离子束流密度分布Jx',y'与扫描速度vx之间的关系，对于波导光栅中心线y=0上任意一点x0，其刻蚀深度dx0可表示为一个积分方程： ； 其中，表示在扫描过程中，相对于其他位置x',y'处的离子束流密度对当前计算点x0,y0的刻蚀深度dx0的有效强度，对于波导光栅中心线，y0=0，L为波导光栅总长； S4、基于协同控制模型，结合设定的目标槽深曲线和标定的离子束流密度分布，求解目标槽深曲线对应的扫描速度； S5、基于求解的扫描速度进行离子束刻蚀，最终在波导光栅上形成与目标槽深曲线精确对应的连续渐变槽深。

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