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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种衬底电位悬空设置的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511149346.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种衬底电位悬空设置的半导体器件是由宋亮;赵杰;陈扶;黄兴杰;刘艳设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底电位悬空设置的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底电位悬空设置的半导体器件。该半导体器件依次包括：衬底、缓冲层、电位屏蔽层、沟道层和势垒层，电位屏蔽层的禁带宽度大于缓冲层的禁带宽度；电位屏蔽层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度；第一P型氮化物层和第二P型氮化物层，位于势垒层远离沟道层的一侧，且间隔设置；第一栅极，位于第一P型氮化物层远离势垒层的一侧；第二栅极，位于第二P型氮化物层远离势垒层的一侧；第一源极，位于势垒层远离沟道层的一侧；第二源极，位于势垒层远离沟道层的一侧。上述技术方案避免了缓冲层对沟道层和势垒层之间的二维电子气进行捕获，屏蔽了衬底的电位对于半导体器件的影响的同时，进一步减小了器件面积，节省了成本。

本发明授权一种衬底电位悬空设置的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种衬底电位悬空设置的半导体器件，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底的电位悬空设置； 缓冲层，位于所述衬底的一侧； 电位屏蔽层，位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧，所述电位屏蔽层的禁带宽度大于所述缓冲层的禁带宽度； 沟道层，位于所述电位屏蔽层远离所述缓冲层的一侧；所述电位屏蔽层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度； 势垒层，位于所述沟道层远离所述电位屏蔽层的一侧；所述电位屏蔽层用于避免所述缓冲层对所述沟道层和所述势垒层之间的二维电子气进行捕获； 第一P型氮化物层，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧； 第二P型氮化物层，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧，且与所述第一P型氮化物层间隔设置； 第一栅极，位于所述第一P型氮化物层远离所述势垒层的一侧； 第二栅极，位于所述第二P型氮化物层远离所述势垒层的一侧； 第一源极，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧； 第二源极，位于所述势垒层远离所述沟道层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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