天津工业大学孙跃获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利基于二噻吩乙烯的传输膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120795397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511284608.6，技术领域涉及：C08J7/18；该发明授权基于二噻吩乙烯的传输膜及其制备方法是由孙跃;张成语;刘国星;王玉美;李子晨设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二噻吩乙烯的传输膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传输膜技术领域，尤其涉及基于二噻吩乙烯的传输膜及其制备方法。该传输膜包括基膜和光控分子，光控分子涂布于基膜上，该光控分子具有光响应基团。检测结果表明：紫外光照射后，该传输膜可快速实现从开环到闭环的完全转化；恢复可见光照射后，传输膜可高效、可逆地恢复至开环状态。此外，传输膜对钠、钾、锂、镁和钙五种离子具有较高的开关比。本发明以末端氨基修饰的二噻吩乙烯为基本单元，所制备的基于二噻吩乙烯的传输膜，不仅具有丰富的纳米通道，还赋予其光响应官能团调控纳米孔开关的特性，通过紫外光和可见光的交替照射，可精确调控离子通道的关闭与开启，最终实现光控离子传输的可控性。
本发明授权基于二噻吩乙烯的传输膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于二噻吩乙烯的传输膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S100、将化合物Ⅳ溶解于溶剂中，得到化合物Ⅳ的溶液； S200、将所述化合物Ⅳ的溶液涂布于基膜上，静置5～15min后，将化合物Ⅴ的溶液涂布于经所述化合物Ⅳ溶液浸渍过的基膜上，界面聚合10～20min后，升温至50～70℃，反应5～15min，得到基于二噻吩乙烯的传输膜； 其中，所述化合物Ⅳ结构式中的为酸根离子，所述化合物Ⅴ结构式中的R1选自Cl-或Br-； 所述基膜选自聚丙烯腈膜、聚偏氟乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚醚砜膜中的任一种。
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