西安理工大学穆凌霞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120800571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511287133.6，技术领域涉及：G01K1/02；该发明授权一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法是由穆凌霞;何紫洁;刘涵;黄伟超;吴世海设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法，属于半导体硅单晶制备技术领域。本方法包括以下步骤：均匀采集直拉硅单晶生长过程中硅熔体在所有时刻的温度数据，构建硅熔体温度矩阵，获取具有时间偏移关系的第一快照矩阵和第二快照矩阵；对第一快照矩阵进行奇异值分解，并确定截断秩，得到第一快照矩阵取截断秩后的奇异值分解的结果；获取第一快照矩阵和第二快照矩阵的近似关系，并将近似关系中的高维矩阵进行投影，得到低秩矩阵；对低秩矩阵进行特征分解，构建高维动态模态矩阵；构建温度预测模型；利用温度预测模型对硅熔体进行自适应温度预测。本申请能够有效提高硅熔体的温度预测效率，并保证温度预测精度。
本发明授权一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法在权利要求书中公布了：1.一种直拉硅单晶生长过程中硅熔体的温度预测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 均匀采集直拉硅单晶生长过程中硅熔体在所有时刻的温度数据，构建硅熔体温度矩阵，并根据所述硅熔体温度矩阵获取具有时间偏移关系的第一快照矩阵和第二快照矩阵； 对所述第一快照矩阵进行奇异值分解，利用得到的所有所述奇异值的累积能量确定截断秩，并得到所述第一快照矩阵取所述截断秩后的所述奇异值分解的结果； 获取所述第一快照矩阵和所述第二快照矩阵的近似关系，并将所述近似关系中的高维矩阵进行投影，得到低秩矩阵； 对所述低秩矩阵进行特征分解，得到多个特征向量，以及每个所述特征向量分别对应的特征值，并利用所有所述特征向量构建高维动态模态矩阵； 利用所述高维动态模态矩阵、所有所述特征值，以及所述第一快照矩阵的初始状态，构建温度预测模型； 利用所述温度预测模型对所述硅熔体进行自适应温度预测。
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