江苏长晶科技股份有限公司杨国江获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511300314.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由杨国江;康子楠设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法，在SGTMOSFET的沟槽中，包括一个控制栅电极和两个屏蔽栅电极，两个屏蔽栅电极位于控制栅电极的上下两侧，共用一个控制栅电极。本发明在和传统SGT相同的元胞宽度、漂移电阻规格下，增加沟槽深度，在控制栅电极上下两端分别设置一根屏蔽栅电极，并共用同一个控制栅电极，电场分布由原来的单矩形扩展为双矩形分布，可以在导通电阻不改变的情况下将电场提升接近一倍，具有优异的性能优势，同时可以在相同的平面面积上容纳更多的存储单元，从而显著提高存储密度，提高面积利用率，进一步的由于缩短信号传输路径，降低了开关应用的延迟和能量损耗，能够在较低的工作电压下实现更高的性能。
本发明授权堆叠型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.堆叠型屏蔽栅场效应晶体管，其特征是增加SGTMOSFET的沟槽深度，沟槽中垂直堆叠一个控制栅电极和两个屏蔽栅电极，两个屏蔽栅电极分别位于控制栅电极的上下方并共用控制栅电极，沟槽整体位于N型外延层中，N型外延层上下均为硅衬底，实现沟槽上下两端连接漏极，源极区夹在N型外延层中，对应位于控制栅电极两侧，源极区包括两层P型体区和一层N+源区，N+源区位于两层P型体区之间，源极金属嵌入源极区形成共形接触。
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