深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利芯片测试连接器的剩余寿命预测方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511317711.6，技术领域涉及：G01R31/68；该发明授权芯片测试连接器的剩余寿命预测方法、装置及存储介质是由周少丰;吴迪;王书平设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片测试连接器的剩余寿命预测方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供的芯片测试连接器的剩余寿命预测方法、装置及存储介质，首先采集第一时间段内芯片测试连接器所在回路的电流数据，基于电流数据确定电流上升速率、电流凹陷特征以及电流噪声特征；将电流上升速率、电流凹陷特征以及电流噪声特征输入预先训练的预测模型，获得预测模型输出的芯片测试连接器的剩余寿命。本申请根据动态电流提取电流上升速率、电流凹陷特征及电流噪声特征等多维度特征，能够实时监测影响芯片测试连接器寿命的特征，且综合考虑了芯片测试连接器在工作过程中的触点疲劳、电弧风险、连接表面赃污的影响，提高了预测准确性，进而减少由于芯片测试连接器性能下降导致的各种问题。
本发明授权芯片测试连接器的剩余寿命预测方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片测试连接器的剩余寿命预测方法，其特征在于，包括： 采集第一时间段内所述芯片测试连接器所在回路的电流数据，所述电流数据至少包括初始电流、峰值电流与凹陷电流；所述初始电流的采集时刻为所述第一时间段的起始时间戳； 基于所述电流数据确定电流上升速率、电流凹陷特征以及电流噪声特征； 将所述电流上升速率、所述电流凹陷特征以及所述电流噪声特征输入预先训练的预测模型，获得所述预测模型输出的所述芯片测试连接器的预测剩余寿命； 其中，所述电流上升速率与所述电流凹陷特征通过以下方法确定： 基于所述初始电流、所述峰值电流、所述起始时间戳以及所述峰值电流对应的采集时刻确定所述电流上升速率，同时基于所述初始电流、所述峰值电流与所述凹陷电流确定所述电流凹陷特征。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市星汉激光科技股份有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区福海街道新和社区蚝业路39号旭竟昌工业园厂房B4栋5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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