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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511326002.4，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由叶家顺;曹飞;董宗谕设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；位于衬底上的器件区，器件区包括至少一半导体器件，半导体器件至少包括电极区；位于器件区上的第一介质层，第一介质层设有开槽，且开槽在衬底上的投影位置至少部分错位于半导体器件；填充于开槽中的高阻结构；贯穿于第一介质层，与半导体器件的至少一电极区接触的第一金属层，第一金属层与高阻结构齐平于第一介质层表面；位于第一介质层上的第二介质层；贯穿于第二介质层的第二金属层，第二金属层的部分与第一金属层接触，形成电极引出部，第二金属层的部分与高阻结构接触，用于将高阻结构电连接至半导体器件上。本申请通过对高电阻的位置和结构设计，提高半导体器件稳定性的技术效果。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 器件区，位于所述衬底上，所述器件区包括至少一半导体器件，所述半导体器件至少包括一电极区； 第一介质层，位于所述器件区上，该第一介质层设有开槽，且所述开槽在所述衬底上的投影位置至少部分错位于所述半导体器件； 高阻结构，填充于所述开槽中； 第一金属层，贯穿于所述第一介质层，并与所述半导体器件的至少一电极区接触，该第一金属层与所述高阻结构齐平于所述第一介质层表面； 第二介质层，位于所述第一介质层上； 第二金属层，贯穿于所述第二介质层，该第二金属层的部分与所述第一金属层接触，形成电极引出部，该第二金属层的部分与所述高阻结构接触，用于将所述高阻结构电连接至所述半导体器件上； 所述高阻结构包括多层膜，该多层膜中的至少部分膜层由金属层制作工艺中的硬质掩膜层构成，所述硬质掩膜层包括从下到上依次层叠的阻挡层、氧化层和高阻材料层；所述开槽的体积与所述高阻结构的设计阻值相关，且所述开槽的宽度不超过所述硬质掩膜层厚度的2倍。

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