合肥晶合集成电路股份有限公司马亚强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利栅极形成方法、半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120826002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511312427.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权栅极形成方法、半导体器件及电子设备是由马亚强;明玉坤设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极形成方法、半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种栅极形成方法、半导体器件及电子设备，包括：提供衬底，衬底上包括沿第一方向交替排列的多个层间介质层、多个栅沟槽；栅沟槽底部包括湿法刻蚀残留的第一离子；对衬底执行第一等离子体处理工艺，同步清除第一离子并使得栅沟槽底部形成含第二离子的基团；对执行完第一等离子体处理工艺的衬底执行第二等离子体处理工艺，使得基团内的第二离子进行原位反应，生成目标极性基团；形成覆盖层间介质层，以及栅沟槽内表面的功函数层；在形成功函数层的过程中，功函数层在栅沟槽底部的吸附概率大于原始概率。能够避免MG工艺过程中void的形成，对于良率稳定和改善具有重要作用。
本发明授权栅极形成方法、半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种栅极形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上包括沿平行于所述衬底第一表面的第一方向交替排列的多个层间介质层、多个栅沟槽；所述栅沟槽底部包括湿法刻蚀残留的第一离子； 对所述衬底执行第一等离子体处理工艺，同步清除所述第一离子并使得所述栅沟槽底部形成含第二离子的基团； 对执行完第一等离子体处理工艺的衬底执行第二等离子体处理工艺，使得所述基团中的第二离子进行原位反应，生成目标极性基团； 形成覆盖所述层间介质层，以及所述栅沟槽内表面的功函数层； 其中，在形成所述功函数层的过程中，所述功函数层在所述栅沟槽底部的吸附概率大于原始概率；所述原始概率用于表征所述功函数层在无所述目标极性基团修饰的沟槽内发生化学吸附的概率。
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