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龙图腾网获悉南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120847453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511350697.X，技术领域涉及：G01R3/00；该发明授权一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法是由杨溢设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法，包括：在硅基板上的上氧化层上光刻形成M个第一刻蚀位；在第一刻蚀位进行刻蚀，形成M个针尖生长位；去除第一光刻胶层；在针尖生长位表面以及上氧化层上形成钛铜合金层；在钛铜合金层上光刻形成位于针尖生长位的上方针体生长位；在针尖生长位和针体生长位形成探针；在所有探针的上表面光刻形成第一电路图形；在第一电路图形上电镀形成金层；在N个探针旁边光刻形成限位块生长位；在每个限位块生长位上形成限位块；去除所有光刻胶层，得到晶圆片。本发明提供的一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法，能够实现晶圆片与陶瓷片的精准键合，提升产品良率，降低成本。

本发明授权一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高半导体探针卡键合时对准精度的晶圆片制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤10，在硅基板1的上表面形成上氧化层21，在硅基板1的下表面形成下氧化层22；并在上氧化层21的上表面涂敷光刻胶，形成第一光刻胶层3； 步骤20，对第一光刻胶层3的M个第一预设位置进行曝光显影，形成M个第一刻蚀位4；M为大于等于2的整数； 步骤30，依次对每个第一刻蚀位4正下方的上氧化层21和硅基板1进行刻蚀，形成M个针尖生长位5；去除第一光刻胶层3； 步骤40，采用溅镀工艺在针尖生长位5表面以及上氧化层21上表面形成钛铜合金层6；并在钛铜合金层6的上表面涂敷光刻胶，形成第二光刻胶层11；对第二光刻胶层11的M个第二预设位置进行曝光显影，在每个针尖生长位的上方形成针体生长位9； 步骤50，采用电镀工艺在M个针尖生长位5和针体生长位9形成第一镍钴合金层，对第一镍钴合金层进行平坦化处理，形成M个探针12； 步骤60，在所有探针12的上表面和保留的第二光刻胶层11的上表面涂敷光刻胶，形成第三光刻胶层15；对第三光刻胶层15的M个第三预设位置进行曝光显影，在每个探针12上方形成第一电路图形；在M个第一电路图形上电镀形成M个金层16； 步骤70，在所有金层16和保留的第三光刻胶层15的上表面涂敷光刻胶，形成第四光刻胶层17；对第四光刻胶层17的N个第四预设位置进行曝光显影后，在N个探针12旁边分别形成限位块生长位18；N为大于等于1的整数； 步骤80，在每个限位块生长位18利用电镀方法在钛铜合金层6上形成第二镍钴合金层，将第二镍钴合金层进行平坦化处理，形成N个限位块19； 步骤90，去除所有光刻胶层，得到晶圆片。

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