台湾积体电路制造股份有限公司沈文超获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体单元与集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223584621U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422333319.8，技术领域涉及：H10B43/30；该实用新型记忆体单元与集成电路是由沈文超设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体单元与集成电路在说明书摘要公布了：本揭露的实施例提供一种记忆体单元与集成电路。集成电路包含包含多个记忆体单元的阵列，其中每一记忆体单元包含源极区；漏极区；通道区，通道区连接于源极区与漏极区之间；储存节点，其形成于通道区上；及控制栅极，其在储存节点上；多个字元线，其中每一字元线连接至阵列中的记忆体单元的一个列中的控制栅极；位元线，其与阵列中的记忆体单元的一行的漏极区连接；及源极线，其与阵列中的记忆体单元的至少一个列的源极区连接。
本实用新型记忆体单元与集成电路在权利要求书中公布了：1.一种记忆体单元，其特征在于，包含： 一源极区； 一漏极区； 一通道区，连接该源极区与该漏极区； 一第一栅极介电层，设置于该通道区上； 一储存栅电极层，设置于该第一栅极介电层上； 一第二栅电极层，设置于该储存栅电极层上；以及 一第二栅极介电层，设置于该储存栅电极层与该第二栅电极层之间。
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