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龙图腾网获悉北京嘉楠捷思信息技术有限公司申请的专利片内无源电源补偿电路及应用其的运算单元、芯片、算力板和计算设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110928355B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811103945.0，技术领域涉及：G05F1/575；该发明授权片内无源电源补偿电路及应用其的运算单元、芯片、算力板和计算设备是由刘杰尧;张楠赓;吴敬杰;马晟厚设计研发完成，并于2018-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本片内无源电源补偿电路及应用其的运算单元、芯片、算力板和计算设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种片内无源电源补偿电路及应用其的运算单元、芯片、算力板和计算设备。片内无源电源补偿电路包括两个或两个以上待供电电压域，所述待供电电压域串联连接在电源和地之间；两个或两个以上的隔离区域，所述待供电电压域形成在所述隔离区域内，所述隔离区域用于隔离所述待供电电压域；所述隔离区域串联连接在所述电源和所述地之间；其中，还包括电源补偿单元，连接在所述待供电电压域和所述隔离区域之间，用于向所述待供电电压域提供电源补偿。本发明的片内无源电源补偿电路能够有效减小功耗，降低设计难度，节约芯片面积，降低生产成本。

本发明授权片内无源电源补偿电路及应用其的运算单元、芯片、算力板和计算设备在权利要求书中公布了：1.一种片内无源电源补偿电路，其特征在于，包括： 两个以上待供电电压域，所述待供电电压域串联连接在电源和地之间，在每一所述待供电电压域两端形成第二电源端和第二地端； 两个以上的隔离区域，所述待供电电压域形成在所述隔离区域内，所述隔离区域用于隔离所述待供电电压域； 所述隔离区域串联连接在所述电源和所述地之间，在每一所述隔离区域两端形成第一电源端和第一地端； 其中，还包括电源补偿单元，连接在所述待供电电压域和所述隔离区域之间，所述电源补偿单元包括开关晶体管； 所述开关晶体管为NMOS晶体管和或PMOS晶体管，形成在所述待供电电压域中；其中： 本级所述待供电电压域中的所述NMOS晶体管的漏极端连接至上一级所述待供电电压域的第二电源端，所述NMOS晶体管的源极端连接至本级所述供电电压域的第二电源端；或者本级所述待供电电压域中的所述NMOS晶体管的漏极端连接至上一级所述待供电电压域的第二地端，所述NMOS晶体管的源极端连接至本级所述供电电压域的第二地端；以及，所述NMOS晶体管的栅极端连接至本级所述隔离区域的第一电源端，所述NMOS晶体管的衬底端连接至本级所述隔离区域的第一地端； 和或， 本级所述待供电电压域中的所述PMOS晶体管的漏极端连接至下一级所述待供电电压域的第二地端，所述PMOS晶体管的源极端连接至本级所述供电电压域的第二地端；或者本级所述待供电电压域中的所述PMOS晶体管的漏极端连接至下一级所述待供电电压域的第二电源端，所述PMOS晶体管的源极端连接至本级所述供电电压域的第二电源端；以及，所述PMOS晶体管的栅极端连接至本级所述隔离区域的第一地端，所述PMOS晶体管的衬底端连接至本级所述隔离区域的第一电源端； 其中，所述隔离区域的第一电源端和第一地端通过体电阻分压生成参考电压，且以所述参考电压为基准，在所述开关晶体管工作在饱和状态下，将本级所述待供电电压域的第二电源端和或第二地端电位箝位，向所述第二电源端和或所述第二地端提供电源补偿。

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