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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111403479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010204549.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法是由王洪;高升;刘晓艺;胡文龙设计研发完成，并于2020-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法。该器件包括AlGaNGaN外延，AlGaNGaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极靠近源极侧设置栅电极，栅电极第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积，栅电极第二层金属Y采用磁控溅射方式沉积，栅电极第二层金属Y的功函数高于第一层金属X的功函数，无需光刻，栅电极剥离后形成的与AlGaN接触的金属结构为YXY。与AlGaN接触的是多金属栅结构，使得电场重新分布，降低了靠近漏极的栅极边缘的电场峰值，提高了器件的击穿电压；同时，较低的栅极边缘的电场峰值减弱了栅极注入电子以形成虚栅效应，降低了器件的电流崩塌，提高了器件的动态性能。

本发明授权具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备具有多金属栅结构的HEMT器件的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在AlGaNGaN外延上定义源漏电极窗口，制备源漏电极并进行退火形成欧姆接触； 2定义栅电极光刻窗口，制备多金属栅结构YXY，得到所述具有多金属栅结构的HEMT器件；所述多金属栅结构YXY中，第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积，第二层金属Y采用磁控溅射方式沉积；且第二层金属Y的厚度要大于第一层金属X的厚度；所述多金属栅结构YXY中，第一层金属X为Ni、Ti、TiN中的一种，第二层金属Y为Cu、W、Ni中的一种； 所述具有多金属栅结构的HEMT器件包括：AlGaNGaN外延、源漏电极及栅电极；所述AlGaNGaN外延上表面的两端分别连接源漏电极；所述栅电极与AlGaNGaN外延上表面连接；所述栅电极包含第一层金属X和第二层金属Y；所述栅电极剥离后形成的与AlGaN接触的金属结构为YXY；所述第一层金属X两侧的第二层金属Y的长度为0.5-1μm；所述二层金属Y完全包裹住了第一层金属X；所述栅电极到源极的距离小于栅电极到漏极的距离。

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