三星电子株式会社梁正吉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010434781.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由梁正吉;宋昇珉;郑秀真;裵东一;徐凤锡设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 由第一沟槽分隔的第一鳍图案和第二鳍图案，所述第一鳍图案和所述第二鳍图案中的每个在第一方向上纵长地延伸； 设置在所述第一鳍图案上的第一纳米片； 设置在所述第二鳍图案上的第二纳米片； 设置在所述第一鳍图案上的第三纳米片，在所述第一方向上与所述第一纳米片间隔开； 外延图案，设置在所述第一纳米片和所述第三纳米片之间； 沿着所述第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸的第一鳍衬层； 设置在所述第一鳍衬层上并填充所述第一沟槽的一部分的第一场绝缘层；以及 与所述第一鳍图案的端部交叠并且包括第一栅极间隔物的第一栅极结构， 其中所述第一鳍衬层的一部分相对于所述第一沟槽的所述底表面突出到所述第一场绝缘层的上表面之上； 其中所述第一鳍衬层在所述第一方向上不与所述外延图案交叠； 其中从所述第一沟槽的所述底表面到所述外延图案的底表面的高度大于从所述第一沟槽的所述底表面到所述第一场绝缘层的所述上表面的高度；以及 其中，从所述第一沟槽的所述底表面到所述第一栅极间隔物的下表面的高度大于从所述第一沟槽的所述底表面到所述第一场绝缘层的所述上表面的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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