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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110437210.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权形成半导体装置的方法是由林志翰;张哲诚;曾鸿辉设计研发完成，并于2017-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体装置的方法，包括接收装置，装置具有基板及环绕栅极沟槽的第一介电层。方法更包括在栅极沟槽中沉积栅极介电层及栅极功函数workfunction，WF层，及在由栅极功函数层环绕的空间中形成硬遮罩hardmask，HM层。方法更包括使栅极功函数层凹陷以使得栅极沟槽中的栅极功函数层的顶表面在第一介电层的顶表面下方。在使栅极功函数层凹陷之后，方法更包括移除栅极沟槽中的硬遮罩层。在移除硬遮罩层之后，方法更包括在栅极沟槽中沉积金属层。

本发明授权形成半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含： 接收一装置，该装置具有一基板及一第一介电层，该第一介电层位在该基板上，且该第一介电层环绕一栅极沟槽； 沉积一栅极介电层于该栅极沟槽中； 沉积一栅极功函数层于该栅极沟槽中且在该栅极介电层上，其中该栅极功函数层环绕一间隔，该间隔位在该栅极沟槽中； 通过蚀刻该栅极功函数层来减少该栅极功函数层相邻该间隔的一宽度与一高度以侧向与向下扩展该间隔，其中蚀刻该栅极功函数层来减少该栅极功函数层相邻该间隔的该宽度与该高度以侧向与向下扩展该间隔是通过执行微影术图案化制程； 在侧向与向下扩展该间隔之后，形成一硬遮罩层于该间隔中； 凹陷该栅极功函数层与该栅极介电层，使得该硬遮罩层的一顶表面高于凹陷后的该栅极介电层的一顶表面，其中凹陷该栅极功函数层与该栅极介电层是通过执行自对准蚀刻制程； 在凹陷该栅极功函数层与该栅极介电层之后，移除该栅极沟槽中的该硬遮罩层； 在移除该硬遮罩层之后，沉积一金属层于该栅极沟槽中；以及 形成一栅极接触件直接接触在该金属层上，其中该栅极接触件与该金属层电连接，且其中该金属层的一顶表面大于该栅极接触件的一底表面。

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