旺宏电子股份有限公司吴宛叡获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010241338.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由吴宛叡设计研发完成，并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，包括具有第一导电型的衬底、形成于衬底中并具有第二导电型的高压阱、形成于高压阱一侧的衬底中的源极阱、形成于高压阱中的漏极阱、形成于源极阱与漏极阱之间的高压阱上方的隔离层、形成于衬底上方并自源极阱的边缘部分上方连续延伸至隔离层的边缘部分上方的栅极层、形成于栅极层旁的源极阱中的源极区、形成于漏极阱中的漏极区与形成于隔离层上方的至少一浮置导体层。所述浮置导体层与漏极区之间的距离小于浮置导体层与源极区之间的距离。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一衬底，具有一第一导电型； 一高压阱，具有一第二导电型，并形成于所述衬底中； 一源极阱，具有所述第一导电型，并形成于所述高压阱的一侧的所述衬底中，所述源极阱与所述高压阱互相邻接； 一漏极阱，具有所述第二导电型，并形成于所述高压阱中； 一隔离层，形成于所述源极阱与所述漏极阱之间的所述高压阱上方； 一栅极层，形成于所述衬底上方，并自所述源极阱的一边缘部分上方连续延伸至所述隔离层的一边缘部分上方； 一源极区，形成于所述栅极层旁的所述源极阱中； 一漏极区，形成于所述漏极阱中；以及 至少一浮置导体层，形成于所述隔离层上方，且所述浮置导体层与所述漏极区之间的距离小于所述浮置导体层与所述源极区之间的距离； 一漂移区，形成于所述隔离层下方的所述高压阱中，所述漂移区具有所述第一导电型的一顶区以及形成于所述隔离层与所述顶区之间的具有所述第二导电型的一梯度区，所述梯度区延伸出所述隔离层并与所述栅极层相接。
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