中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司夏文斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010779496.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由夏文斌设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于所述基底上的磁隧道结，所述磁隧道结包括相邻的第一区和第二区，所述磁隧道结包括沿所述基底法线方向重叠的多层材料层，且至少一层第一区内的材料层和第二区内的材料层不同。所述半导体结构的存储容量密度较高。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的磁隧道结，同一所述磁隧道结包括相邻的第一区和第二区，每个所述磁隧道结均包括沿所述基底法线方向重叠的多层材料层，且同一所述磁隧道结内至少一层第一区内材料层的材料和第二区内材料层的材料不同； 所述基底包括若干初始第一区，相邻初始第一区之间具有初始第二区，且所述初始第二区和初始第一区相邻；所述磁隧道结的第一区位于部分所述初始第一区上，所述磁隧道结的第二区位于部分所述初始第二区上，所述磁隧道结包括：第一电磁层、位于第一电磁层上的绝缘层以及位于绝缘层上的第二电磁层； 其中，所述多层材料层的形成方法包括：在所述初始第一区和初始第二区上形成第一电磁材料膜；在所述第一电磁材料膜上形成绝缘材料膜；在所述绝缘材料膜上形成第二电磁材料膜；采用图形化工艺，刻蚀所述第一电磁材料膜、绝缘材料膜和第二电磁材料膜，直至暴露出基底表面位置，在基底上形成所述磁隧道结。
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