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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利碳化硅半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070654.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权碳化硅半导体装置是由斋藤雄;增田健良设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置在说明书摘要公布了：碳化硅半导体装置具有碳化硅基板，所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通源区和体区而到达漂移区的侧面和与所述侧面相连的底面限定，并且在平行于所述第一主面的第一方向上延伸。所述碳化硅基板还具有：电场弛豫区，所述电场弛豫区设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，并且具有所述第二导电型；和连接区，所述连接区将接触区与所述电场弛豫区电连接，并且具有所述第二导电型，在从垂直于所述第一主面的方向俯视时，所述栅极沟槽和所述电场弛豫区位于在所述第一方向上延伸的假想直线上，并且所述连接区在所述假想直线上与所述电场弛豫区接触。

本发明授权碳化硅半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其中，所述碳化硅半导体装置具有碳化硅基板，所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面， 所述碳化硅基板具有： 漂移区，所述漂移区具有第一导电型； 体区，所述体区设置在所述漂移区上并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型； 源区，所述源区设置在所述体区上使得与所述漂移区隔开，并且具有所述第一导电型；和 接触区，所述接触区设置在所述体区上并且具有所述第二导电型， 在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通所述源区和所述体区而到达所述漂移区的侧面以及与所述侧面相连的底面限定，并且在平行于所述第一主面的第一方向上延伸， 所述碳化硅半导体装置还具有源电极，所述源电极与所述源区和所述接触区连接， 所述碳化硅基板还具有： 电场弛豫区，所述电场弛豫区设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，并且具有所述第二导电型；和 连接区，所述连接区将所述接触区与所述电场弛豫区电连接，并且具有所述第二导电型， 在从垂直于所述第一主面的方向俯视时， 所述栅极沟槽和所述电场弛豫区位于在所述第一方向上延伸的假想直线上，并且 所述连接区在所述假想直线上与所述电场弛豫区接触， 所述连接区不与所述栅极沟槽的所述第一方向上的端部的侧面接触。

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