南京晶耀芯辉半导体科技有限公司怀辰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京晶耀芯辉半导体科技有限公司申请的专利一种大功率DFB激光器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223599236U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423250632.1，技术领域涉及：H01S5/02345；该实用新型一种大功率DFB激光器芯片是由怀辰;李笑寒;李延年设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大功率DFB激光器芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种大功率DFB激光器芯片，涉及芯片技术领域，其结构包括第一基板，其上布置有支撑芯片构件的第一表面和相对的第二表面，芯片构件布置有第一电极，并通过封装层包覆。连接构件和支撑构件实现芯片与外部电路的连接，其中支撑构件延伸至封装层外部，导电构件连接第一电极与支撑构件，第一基板沿厚度方向开设的第一通槽内布置了第一导热构件，该构件一端接触芯片构件，另一端连接布置于第二表面的第二导热构件，形成有效的散热路径。通过增加热传导面积和优化散热路径，提高了芯片的散热性能，确保了高功率光源芯片的稳定运行。
本实用新型一种大功率DFB激光器芯片在权利要求书中公布了：1.一种大功率DFB激光器芯片，其特征在于，包括： 第一基板1，所述第一基板1布置有第一表面和与所述第一表面相对布置的第二表面； 芯片构件2，所述第一基板1的第一表面支撑所述芯片构件2，所述芯片构件2布置有第一电极； 封装层8，所述封装层8布置于第一基板1的第一表面，且包覆所述芯片构件； 连接构件3，所述连接构件3布置于所述芯片构件2； 支撑构件4，所述芯片构件2通过连接构件3连接至支撑构件4一端，所述支撑构件4另一端延伸至封装层8外部； 导电构件5，所述第一电极通过导电构件5连接至支撑构件4； 其中，所述第一基板1与所述芯片构件2的位置对应，沿第一基板1的厚度方向开设有多个第一通槽，所述第一通槽内布置有第一导热构件6，所述第一导热构件6一端接触芯片构件2表面，另一端接触第二导热构件7，所述第二导热构件7布置于所述第二表面。
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