学校法人关西学院;丰田通商株式会社金子忠昭获国家专利权
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龙图腾网获悉学校法人关西学院;丰田通商株式会社申请的专利SiC衬底的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080066201.5，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权SiC衬底的制造方法是由金子忠昭设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC衬底的制造方法在说明书摘要公布了：本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底30的制造方法，其包括：应变层薄化步骤S1，通过使SiC衬底体10的应变层12移动到表面侧来使应变层12变薄。这样，通过包括使应变层12移动集中到表面侧的应变层薄化步骤S1，可以减少去除应变层12时的材料损失L。
本发明授权SiC衬底的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC衬底的制造方法，其包括： 应变层薄化步骤，通过使SiC衬底体的应变层移动到表面侧来使所述应变层变薄；以及 湿蚀刻步骤，对所述SiC衬底体的表面进行湿蚀刻， 所述应变层薄化步骤是在由SiC材料构成的主体容器内对所述SiC衬底体进行热蚀刻的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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