索泰克公司格维塔兹·戈丹获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利接合两个半导体衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080082122.3，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权接合两个半导体衬底的方法是由格维塔兹·戈丹;C·富丁设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合两个半导体衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过分子粘附来接合两个半导体衬底的方法，所述方法包括：使第一衬底和第二衬底2紧密接触以便形成具有结合界面4的组合件的步骤a；以比第一预定温度高的第一温度对结合界面4进行反应退火的步骤b，所述步骤b在结合界面处产生气泡；在结合界面4处至少部分地剥离这两个衬底以便消除所述气泡的步骤c；以及在结合界面4处使第一衬底和第二衬底2再次紧密接触以便重新形成该组合件的步骤d。
本发明授权接合两个半导体衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过分子粘附来接合两个半导体衬底的接合方法，所述接合方法包括： 步骤a，使第一衬底1和第二衬底2紧密接触，以便形成呈现结合界面4的组合件3； 步骤b，以比预定第一温度高的第一温度对所述结合界面进行反应退火，该步骤b在所述结合界面处产生气泡，所述预定第一温度对应于这样的温度，即，超过该温度，在疏水结合的情况下在所述结合界面处俘获的物质全部或部分地起反应，以在所述结合界面处形成气泡； 所述接合方法的特征在于包括： 步骤c，在所述结合界面4处使所述第一衬底1和所述第二衬底2至少部分地剥离，以便消除所述气泡； 步骤d，使所述第一衬底1和所述第二衬底2在所述结合界面4处重新紧密接触，以便重新形成所述组合件3， 其中，剥离步骤c是在受控气氛下执行的，并且所述受控气氛是无水气氛或真空。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索泰克公司，其通讯地址为：法国伯尔宁；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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