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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310364008.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;贾晓锋;罗军;王文武设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以降低三维叠层互补晶体管的制造难度，提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：对半导体衬底进行图案化处理，以在半导体衬底上形成鳍状结构。鳍状结构包括沿半导体衬底的厚度方向依次设置的第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部。在半导体衬底上形成浅槽隔离层。采用离子注入工艺并以第一注入角度，对第二鳍部进行掺杂处理。采用离子注入工艺并以第二注入角度，对第三鳍部进行掺杂处理。对浅槽隔离层进行回刻处理，以暴露出第二鳍部。基于第二鳍部形成第一环栅晶体管、以及基于第三鳍部形成第二环栅晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 对半导体衬底进行图案化处理，以在所述半导体衬底上形成鳍状结构；所述鳍状结构包括沿所述半导体衬底的厚度方向依次设置的第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部；至少在所述第一鳍部与所述第二鳍部之间、以及所述第二鳍部和所述第三鳍部之间具有沿所述鳍状结构的宽度方向向内凹入的凹口结构； 在所述半导体衬底上形成浅槽隔离层；所述浅槽隔离层的顶部高度大于等于所述第二鳍部的顶部高度、且小于等于所述第三鳍部的顶部高度； 采用离子注入工艺并以第一注入角度，对所述第二鳍部进行掺杂处理； 采用离子注入工艺并以第二注入角度，对所述第三鳍部进行掺杂处理；所述第二注入角度不同于所述第一注入角度；所述第二鳍部和所述第三鳍部内分别掺杂导电类型相反的杂质； 对所述浅槽隔离层进行回刻处理，以暴露出所述第二鳍部；所述浅槽隔离层的剩余部分形成浅槽隔离结构； 基于所述第二鳍部形成第一环栅晶体管、以及基于所述第三鳍部形成第二环栅晶体管；所述第一环栅晶体管和所述第二环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。

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