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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种三相全桥电流源型逆变器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116248010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310331882.9，技术领域涉及：H02P27/12；该发明授权一种三相全桥电流源型逆变器是由蒋栋;熊彦超;刘自程;帅逸轩设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三相全桥电流源型逆变器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三相全桥电流源型逆变器，属于电流源型逆变器技术领域，包括：恒流源、电感、多个功率开关管、电容和三相电机；其中，所述恒流源与所述电感串联；多个功率开关管组成的逆变电路输出交流电流，以驱动电机；每个所述功率开关管用于保证桥臂电流的单向流通性；所述三相电机中每相绕组均设置两个供电桥臂，每相绕组的第一个供电桥臂和第二个供电桥臂均包括两个所述功率开关管；两个供电桥臂的桥臂中点与该相绕组的两端相连；各相绕组两端均并联一个所述电容。本发明在传统三相桥式电流源型逆变器的基础上进行改进，每相绕组设置两个供电桥臂，且每个供电桥臂设置两个所述功率开关管，能够显著提高电流利用率和容错性。

本发明授权一种三相全桥电流源型逆变器在权利要求书中公布了：1.一种三相全桥电流源型逆变器，其特征在于，包括：恒流源、电感、逆变电路、电容和三相电机；其中， 所述恒流源与所述电感串联，以为逆变器提供恒定的直流电流； 所述逆变电路包括多个功率开关管，用于输出交流电流，以驱动所述三相电机； 所述三相电机中A相绕组、B相绕组和C相绕组的两端均并联一个所述电容； 功率开关管Sap1、San1构成所述A相绕组的第一个供电桥臂；所述功率开关管Sap2、San2构成所述A相绕组的第二个供电桥臂；两个供电桥臂的桥臂中点与所述A相绕组的两端相连； 功率开关管Sbp1、Sbn1构成所述B相绕组的第一个供电桥臂；所述功率开关管Sbp2、Sbn2构成所述B相绕组的第二个供电桥臂；两个供电桥臂的桥臂中点与所述B相绕组的两端相连； 功率开关管Scp1、Scn1构成所述C相绕组的第一个供电桥臂；所述功率开关管Scp2、Scn2构成所述C相绕组的第二个供电桥臂；两个供电桥臂的桥臂中点与所述C相绕组的两端相连； 功率开关管Sap1的MOSFET的漏极和功率开关管Sap2的MOSFET的漏极相连，同时与Ldc稳流后的正母线处相连； 功率开关管Sap1的二极管的负极与功率开关管San1的MOSFET的漏极相连； 功率开关管Sap2的二极管的负极与功率开关管San2的MOSFET的漏极相连； 功率开关管San1的二极管的负极、功率开关管San2的二极管的负极、功率开关管Sbp1的MOSFET的漏极和功率开关管Sbp2的MOSFET的漏极四者相连； 功率开关管Sbp1的二极管的负极与功率开关管Sbn1的MOSFET的漏极相连； 功率开关管Sbp2的二极管的负极与功率开关管Sbn2的MOSFET的漏极相连； 功率开关管Sbn1的二极管的负极、功率开关管Sbn2的二极管的负极、功率开关管Scp1的MOSFET的漏极和功率开关管Scp2的MOSFET的漏极四者相连； 功率开关管Scp1的二极管的负极与功率开关管Scn1的MOSFET的漏极相连； 功率开关管Scp2的二极管的负极与功率开关管Scn2的MOSFET的漏极相连； 功率开关管Scn1的二极管的负极和功率开关管Scn2的二极管的负极相连，同时与负母线相连。

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