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龙图腾网获悉深圳芯智汇科技有限公司申请的专利提升电路耐压的MOS偏置电路、模拟电路、数字电路和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310303497.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权提升电路耐压的MOS偏置电路、模拟电路、数字电路和芯片是由叶滢设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升电路耐压的MOS偏置电路、模拟电路、数字电路和芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种提升电路耐压的MOS偏置电路、模拟电路、数字电路和芯片，该提升电路耐压的MOS偏置电路包括启动支路、PMOS偏置电压产生支路和NMOS偏置电压产生支路，启动支路、PMOS偏置电压产生支路和NMOS偏置电压产生支路并联在电源端和接地端；PMOS偏置电压产生支路包括具有至少二个PMOS管串联的第一偏置产生模块，PMOS管以二极管连接方式设置；NMOS偏置电压产生支路包括具有至少二个NMOS管串联的第二偏置产生模块，NMOS管以二极管连接方式设置。该模拟电路应用该MOS偏置电路。该数字电路应用该MOS偏置电路。该芯片应用该模拟电路或该数字电路。应用本发明的MOS偏置电路可在一定波动的电源电压范围内，产生稳定的输出电压，提升电路耐压性能。

本发明授权提升电路耐压的MOS偏置电路、模拟电路、数字电路和芯片在权利要求书中公布了：1.一种提升电路耐压的MOS偏置电路，其特征在于：包括启动支路、PMOS偏置电压产生支路和NMOS偏置电压产生支路，所述启动支路、所述PMOS偏置电压产生支路和所述NMOS偏置电压产生支路并联在电源端和接地端； 所述PMOS偏置电压产生支路包括第一受控开关电路、具有至少二个PMOS管串联的第一偏置产生模块、PMOS偏置电压输出端，所述PMOS管以二极管连接方式设置，所述第一偏置产生模块的第一端与所述电源端电连接，所述第一偏置产生模块的第二端通过所述第一受控开关电路与所述接地端电连接，所述第一偏置产生模块的第二端还与所述PMOS偏置电压输出端电连接； 所述NMOS偏置电压产生支路包括第二受控开关电路、具有至少二个NMOS管串联的第二偏置产生模块、NMOS偏置电压输出端，所述NMOS管以二极管连接方式设置，所述第二偏置产生模块的第一端通过所述第二受控开关电路与所述电源端电连接，所述第二偏置产生模块的第二端与所述接地端电连接，所述第二偏置产生模块的第一端还与所述NMOS偏置电压输出端电连接； 所述启动支路向所述第一受控开关电路和或所述第二受控开关电路提供启动电压； 所述启动支路包括第一电阻、第二电阻、第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一电阻的第一端与所述电源端电连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第一PMOS管的源极电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的源极与所述接地端电连接； 所述第一受控开关电路包括第二NMOS管和第三NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第一偏置产生模块的第二端电连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第二电阻的第一端电连接，所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极电连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的源极电连接，所述第三NMOS管的源极与所述接地端电连接。

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