中国科学院物理研究所姚一锟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利针对二维材料的激光刻蚀方法和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116493763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210071305.6,技术领域涉及:B23K26/362;该发明授权针对二维材料的激光刻蚀方法和系统是由姚一锟;唐向前;王文宇;单欣岩;陆兴华设计研发完成,并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对二维材料的激光刻蚀方法和系统在说明书摘要公布了:本发明提供一种针对二维材料的激光刻蚀方法和系统,其中利用单点激光刻蚀过程中刻蚀温度的原位实时监测,确定所述单点激光刻蚀过程中的阶梯状降温特征,根据所述阶梯状降温特征获得单层可控刻蚀范围内逐层刻蚀所需的激光功率,根据所述激光功率实现所述二维材料的特定层数的样品的可控刻蚀。根据本发明的方法和系统能够提供更高的垂直方向逐层刻蚀精度、高度可控且通用性强的单层或逐层刻蚀方案,其能够实现对二维材料大范围的逐层刻蚀,同时其刻蚀过程可控可定量,具备大规模自动化生产前景。
本发明授权针对二维材料的激光刻蚀方法和系统在权利要求书中公布了:1.一种对二维材料的样品的激光刻蚀方法,所述方法包括: 通过调节刻蚀环境控制所述样品的温度分布沿表层向内逐层递减,以实现阶梯状降温特征,其中所述刻蚀环境包括:衬底热导率、衬底与样品接触热阻、衬底与环境温度、刻蚀环境气体氛围、刻蚀激光功率的控制精度与稳定性; 利用单点激光刻蚀过程中刻蚀温度的原位实时监测确定所述过程中的阶梯状降温特征; 根据所述阶梯状降温特征获得在单层可控刻蚀范围内刻蚀所述样品所需的刻蚀激光功率; 根据所述刻蚀激光功率实现所述样品的特定层数的可控刻蚀。
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