买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116660705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310340203.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统及方法是由郭伟力;王来利;肖国春;刘进军设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统及方法，属于电力半导体检测技术领域。本发明通过将罗氏线圈设计于多层PCB板上形成多层PCB平面罗氏线圈，磁阻芯片焊接在磁阻芯片PCB上，磁阻芯片与罗氏线圈PCB平面保持垂直，形成混合传感器，使用磁阻芯片和罗氏线圈组成的混合传感器，实现了大功率半导体模块芯片级电流的实时测量；测量时滤除磁阻芯片测量结果中的高频信号和噪声，并对磁阻芯片的测量结果进行解耦合，消除流过其余半导体芯片的电流对某一特定磁阻芯片测量的影响，得到解耦后的磁阻测量结果；该方法处理过程简单、处理结果精准，解决现有混合传感器进行大功率半导体模块芯片级电流检测时只能针对于测量交流电流的技术问题。

本发明授权一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测大功率半导体模块芯片级电流的系统，其特征在于，包括大功率半导体模块和混合传感器13；所述混合传感器13套装在大功率半导体模块上； 所述混合传感器13包括多层PCB平面罗氏线圈1、磁阻芯片3和磁阻芯片PCB4；所述磁阻芯片3设置在磁阻芯片PCB4表面，所述磁阻芯片PCB4与多层PCB平面罗氏线圈1通过弯排针2垂直连接； 所述大功率半导体模块包括上端盖5和下端盖6；所述上端盖5和下端盖6之间穿插设置有N个子模组12；所述每个子模组12与下端盖6连接处设置有凸台11；所述混合传感器13通过多层PCB平面罗氏线圈1套装在每个子模组12中的凸台11上，且磁阻芯片PCB4与凸台11垂直连接； 从上端盖5到下端盖6的方向，所述子模组12包括依次连接设置的上钼片7、半导体芯片8、下钼片9、银垫片10；所述上钼片7与上端盖5连接；所述银垫片10与凸台11连接； 所述每个子模组12中的半导体芯片8与凸台11为串联关系；所述N个子模组12中的半导体芯片8之间为并联关系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。