株式会社爱发科青柳利哉获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社爱发科申请的专利磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116783324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280012554.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置是由青柳利哉;新井真;高泽悟设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有能够定期去除在靶的中央区域上残留的非侵蚀区域中形成的再沉积膜的功能，并能够在具有高纵横比的凹部的基板整个面上覆盖性良好地成膜的磁控溅射装置SM用阴极单元及磁控溅射装置。阴极单元CU1具备多个第一和第二磁体单元61、62，其配置在靶5的溅射面51所背对的一侧，并分别绕轴线Cl被旋转驱动。第一磁体单元构成为使第一漏磁场Mf1作用于在内侧包含靶中心Tc的溅射面的前方空间。第二磁体单元构成为，使第二漏磁场Mf2局部作用于位于靶中心和靶外缘部之间的溅射面的前方空间，并且能够进行被第二漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电。
本发明授权磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射装置用阴极单元，其特征在于： 具备第一磁体单元和第二磁体单元，其配置在以面对真空室内的姿态设置的靶的溅射面所背对的一侧，并分别绕在与该溅射面正交方向上延伸的轴线被旋转驱动； 所述第一磁体单元构成为，使磁场垂直分量为零的位置环状闭合的第一漏磁场作用于在内侧包含靶中心的溅射面的前方空间； 所述第二磁体单元构成为，使磁场的垂直分量为零的位置环状闭合的第二漏磁场，局部作用于位于靶中心和靶外缘部之间的溅射面的前方空间； 具备驱动单元，其使所述第一磁体单元和所述第二磁体单元分别在接近或远离所述靶的溅射面的方向上移动； 所述驱动单元构成为在将第一磁体单元和第二磁体单元中的任意的一方移动到接近靶的溅射面的位置时，将任意的另一方移动到不会发生磁场干扰的远离靶的溅射面的位置； 所述第一磁体单元采用不能进行被所述第一漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电的结构，所述第二磁体单元构成为使得能够进行被所述第二漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电。
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