沈阳富创精密设备股份有限公司李文明获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳富创精密设备股份有限公司申请的专利一种PECVD设备结构中的陶瓷环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116791060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310756719.7，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种PECVD设备结构中的陶瓷环是由李文明;李加平;潘虹设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PECVD设备结构中的陶瓷环在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PECVD设备结构中的陶瓷环，涉及PECVD薄膜技术领域，包括气柜，所述气柜的下侧安装有顶板，顶板的下侧安装有匀气盘，匀气盘的下侧安装有泵环，泵环上设置有滑块，泵环的下侧设置有陶瓷环，陶瓷环的下侧安装有加热盘，加热盘的内部设置有内腔和外腔；气柜配合匀气盘来控制气体分散性和偏移，起到提高薄膜均匀性作用，使到达晶圆表面的垂直气体速度趋于均匀，且陶瓷环与排气环上均设置有排气孔，排气孔起到了排气的作用，且可以防止气体过度逃逸，上述结构通过对陶瓷环排气孔的位置和孔的密封的分布的调整，解决了气体流速不均匀，速度中心整体偏移，进而导致镀膜速率不同，厚度不均的现象。
本发明授权一种PECVD设备结构中的陶瓷环在权利要求书中公布了：1.一种PECVD设备结构，包括气柜1，其特征在于，所述气柜1的下侧安装有顶板2，顶板2的下侧安装有匀气盘3，匀气盘3的下侧安装有泵环4，泵环4上开设有两组滑道，滑道的内部滑动连接有滑块11，滑块11上设置有限位杆，泵环4的下侧设置有陶瓷环5，陶瓷环5的下侧安装有加热盘6，加热盘6的内部设置有内腔7和外腔8；所述陶瓷环5的外侧设置有排气环10，排气环10上开设有多个排气孔。
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