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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116835522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310789202.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS器件及其制造方法是由张兆林设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件的制造方法包括：第二衬底的第一表面形成有第一MEMS结构和第二MEMS结构，第一衬底包括对应于第一MEMS结构的第一区域和对应于第二MEMS结构的第二区域；依次形成牺牲层和保护层于第一衬底的第一表面；在第一区域形成第一空腔和第一抽气孔，在第二区域形成第二空腔；将第一衬底的第二表面与第二衬底的第一表面键合；形成多个第二抽气孔于保护层中；在牺牲层中形成第三空腔；第二抽气孔与第三空腔连通；通过第二抽气孔、第三空腔和第一抽气孔对第一空腔进行抽气，并填充金属层于第二抽气孔中。本发明的技术方案无需采用激光封孔工艺即可实现抽气孔的密封，解决了大尺寸的抽气孔密封的问题，且使得成本得到降低。

本发明授权MEMS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底和第二衬底，所述第二衬底的第一表面形成有第一MEMS结构和第二MEMS结构，所述第一衬底包括对应于所述第一MEMS结构的第一区域和对应于所述第二MEMS结构的第二区域； 依次形成牺牲层和保护层覆盖于所述第一衬底的第一表面，所述保护层覆盖所述牺牲层； 刻蚀所述第一衬底的第二表面，以在所述第一区域形成第一空腔和第一抽气孔，且在所述第二区域形成第二空腔，所述第一抽气孔暴露出所述牺牲层； 将所述第一衬底的第二表面与所述第二衬底的第一表面键合，键合后的所述第一抽气孔与所述第一空腔连通； 形成多个第二抽气孔于所述保护层中；在将所述第一衬底的第二表面与所述第二衬底的第一表面键合之前，经所述第一抽气孔释放部分所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成第三空腔；或者，在形成多个所述第二抽气孔于所述保护层中之后，经所述第二抽气孔释放部分所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成第三空腔；所述第二抽气孔与所述第三空腔连通； 通过所述第二抽气孔、所述第三空腔和所述第一抽气孔对所述第一空腔进行抽气，并填充金属层于所述第二抽气孔中。

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